文献

J-GLOBAL ID：201702256796757379   整理番号：17A0829090

蒸気:効率的で正確なデバイスのモデル化のためのスプラインに基づく表【Powered by NICT】

STEAM: Spline-based tables for efficient and accurate device modelling

著者 (4件)： Gupta Archit (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley) ,  Wang Tianshi (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley) ,  Gokcen Ahmet Mahmutoglu (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley) ,  Roychowdhury Jaijeet (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California, Berkeley)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ASP-DAC  ページ： 463-468  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： デバイスモデルのユーザからの一般的な訴えは「より良い」モデルは,シミュレーションに要する長いことである。それは低モデル評価時間を提供するので,サンプリングされたデータ点の間の内挿に基づくモデリングは,この状況において魅力的である。このような「テーブルベース」モデリングは長い歴史を持っているが,重要な概念と実行上の問題点を文献で不明瞭にした。これらの問題は,代数(”DC”)及び動的(「電荷/フラックス」)成分を分離する適切にサンプル領域外を外挿する平滑精度対計算対記憶トレードオフと種々の分析(DC,AC,過渡,RFなど,分析のような)のためのテーブルベースモデルの適合性。本論文では,任意の分析における適切に働くためにテーブルベースデバイスモデルを採取すべき関数正確に明らかにした。補間,上手く実施三次スプラインは優れた滑らかさと低く,ほとんど一定の評価コストで任意に高い精度を提供することを示しを再検討。しかし,メモリ要求は正確に増加した。収束を支援する受動性概念を用いた新しい外挿スキームを提案した。Berkeley MAPPを用いて,相対誤差0.001%のコアBSIMモデル評価(全体シミュレーション高速化6~18×の翻訳)における150×のスピードアップを実証した。提案アプローチでは,既存のデバイスモデルを変換する小さな固定評価コストで平滑/正確なテーブルベースモデルにできる。以前の研究とは異なり,このコードは,オープンソース,迅速かつ簡便にテーブルベースモデルによる評価と実験に対するコミュニティのためのプラットフォームとして働くとして放出される。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *モデル ,  *モデリング ,  高速化 ,  外挿法 ,  *スプライン ,  記憶装置 ,  内挿法 ,  シミュレーション ,  適応性 ,  固体素子モデル
準シソーラス用語： オープンソース ,  相対誤差 ,  受動性 ,  3次スプライン ,  モデル評価 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 人工知能  (JE08000Z) ,  数値計算  (JE02000J)

タイトルに関連する用語 (4件)： 蒸気 ,  モデル化 ,  スプライン ,  表