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J-GLOBAL ID：201702256814476182   整理番号：17A0388736

Ni(111)上の水素化六方晶窒化ほう素における部位選択的水素化とスピン分極の直接観測【Powered by NICT】

Direct observation of site-selective hydrogenation and spin-polarization in hydrogenated hexagonal boron nitride on Ni(111)

著者 (10件)： Ohtomo Manabu (Advanced Science Research Center, Japan Atomic Energy Agency, Tokai, Naka, Ibaraki 319-1195, Japan) ,  Yamauchi Yasushi ,  Sun Xia ,  Kuzubov Alex A. ,  Mikhaleva Natalia S. ,  Avramov Pavel V. ,  Entani Shiro ,  Matsumoto Yoshihiro ,  Naramoto Hiroshi ,  Sakai Seiji
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 6  ページ： 2369-2375  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ni(111)上に吸着した水素化窒化ほう素の構造解析とスピン依存バンド構造を報告した。垂直入射X線定在波(NIXSW)法を用いて研究した原子変位は,H-B(fcc)N(上)モデル中の水素原子は,ホウ素原子上に化学吸着した選択的であり,N原子はNi原子のトップに留まるを支持した。Ni面と窒素面間の距離は水素化後も変化しなかった,これはNiとNの間の相互作用は,ホウ素の水素化後でも3d-π軌道混合(供与と逆供与)であることを意味している。近吸収端X線吸収微細構造(NEXAFS)スペクトルに残っているπ*ピークはsp~2の再混成.~3状態への,NIXSW測定から誘導したN-B-N結合角と一致するの発現である。SPMDS測定は水素化h-BN上に現れるスピン非対称性,これはNiの3d状態からの逆供与π関連軌道に起因することを明らかにした。原子変位は,H-B(fcc)N(上)モデルを用いた密度汎関数理論(DFT)計算によって再現されたが,実験スピン依存バンド構造は,自己相互作用誤差(SIE)によるDFTにより再現されなかった。これらの結果は,ほう素の位置選択的水素化を強化し,水素貯蔵のためのBNナノ材料の効率的な設計への道を開いた。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 非対称性 ,  ホウ素 ,  *水素化 ,  ナノ材料 ,  *窒化ホウ素 ,  密度汎関数法 ,  π軌道 ,  化学吸着 ,  構造解析 ,  *ニッケル ,  水素吸蔵 ,  吸収端 ,  NEXAFS ,  逆供与 ,  原子変位

分類 (3件)： その他の触媒  (CB06123Z) ,  塩  (CD01050V) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ni ,  水素化 ,  六方晶窒化ほう素 ,  選択的水素化 ,  スピン分極 ,  観測