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J-GLOBAL ID：201702256814773244   整理番号：17A1679012

ヒトの水晶体上皮細胞の移行と増殖に及ぼす直流電場の影響を調べた。【JST・京大機械翻訳】

Effect of the electric field on the migration and proliferation of human lens epithelial cells

著者 (4件)： Han Jing (第四軍医大学唐都医院眼科, 中国陜西省西安市,710038) ,  Liu Jun (第四軍医大学唐都医院眼科, 中国陜西省西安市,710038) ,  Yan Hong (第四軍医大学唐都医院眼科, 中国陜西省西安市,710038) ,  Yan Xiaolong (第四軍医大学唐都医院胸外科, 中国陜西省西安市,710038)
資料名： Guo Ji Yanke Zazhi  (Guo Ji Yanke Zazhi)
巻： 17  号： 4  ページ： 619-622  発行年： 2017年 
JST資料番号： C3915A  ISSN： 1672-5123  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 目的;ヒト水晶体上皮(lens epithelial cell,LEC)の移行と増殖に対する直流電場の影響を観察した。方法;培養したヒト水晶体上皮細胞系HLE-B3細胞を電場強度100,200,400 mV/mmの直流電場に暴露し、電場に暴露されていない細胞を正常対照群とした。倒立顕微鏡を用いて,電場暴露前と暴露後の細胞画像を観察し,細胞数を計数した。細胞アポトーシス率と細胞周期は,フローサイトメトリーによって検出された,そして,24時間暴露された後の細胞アポトーシス率と細胞周期は,フローサイトメトリーによって検出された。結果;強度が400mV/mmの電場で3時間暴露した後、HLE-B3細胞は電場の陰極側に向かう方向の移行を呈することが示された。電場が連続的に暴露されると,HLE-B3細胞の数は徐々に減少し,6時間と12時間で,正常対照群と比較して,それぞれ12.6%と18.6%減少した。100,200,400mV/mmの電場で24時間曝露した後に,HLE-B3細胞のアポトーシス率は,それぞれ(9.2±1.9)%,(23.9±2.6)%,(54±2.5)%であった(P<0.05)。それは,正常対照群と比較して,有意に増加した(P<0.05)。細胞周期の測定結果により、HLE-B3細胞がG2/M相に入る割合は電場強度の増加に伴い次第に上昇し、その中の200mV/mmと400mV/mm電場でのG2/M期細胞の割合はそれぞれ(13.8±2.2)%と(15.6±2.5)%であった。正常対照群と比較して,統計的有意差が認められた(P<0.05)。結論;直流電場は,HLE-B3細胞の方向性移行を誘発し,電場の時間と電場強度の増加とともに,細胞増殖を阻害し,細胞アポトーシスと細胞周期G2/M停止を伴った。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電界強度 ,  アポトーシス ,  培養 ,  フローサイトメトリー ,  *電場 ,  細胞増殖 ,  細胞周期 ,  *ヒト ,  *上皮 ,  *水晶体 ,  細胞計数
準シソーラス用語： G2/M期 ,  対照群 ,  *直流電場 ,  *水晶体上皮細胞 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： electric field ,  human lens epithelial cell ,  cell migration ,  apoptosis ,  cell circle

分類 (1件)： 細胞生理一般  (EF02010S)

タイトルに関連する用語 (5件)： ヒト ,  水晶体上皮細胞 ,  移行 ,  増殖 ,  直流電場