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J-GLOBAL ID：201702256900176397   整理番号：17A0407630

NdNiO_3+δ薄膜に誘起された金属-絶縁体転移と温度に依存しない電荷輸送【Powered by NICT】

Induced metal-insulator transition and temperature independent charge transport in NdNiO_3-δ thin films

著者 (6件)： Chandra Mahesh (Discipline of Physics, Indian Institute of Technology (IIT) Indore, Simrol, Khandwa Road, M. P. 453 552, India) ,  Das Sarmistha (Indian Institute of Science Education and Research (IISER) Bhopal, M. P. 462023, India) ,  Aziz Fozia (Discipline of Physics, Indian Institute of Technology (IIT) Indore, Simrol, Khandwa Road, M. P. 453 552, India) ,  Prajapat Manoj (Indian Institute of Science Education and Research (IISER) Bhopal, M. P. 462023, India) ,  Mavani K.R. (Discipline of Physics, Indian Institute of Technology (IIT) Indore, Simrol, Khandwa Road, M. P. 453 552, India) ,  Mavani K.R. (Metallurgical Engineering and Materials Science, Indian Institute of Technology (IIT) Indore, Simrol, Khandwa Road, M. P. 453 552, India)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 696  ページ： 423-427  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RNiO_3(R=希土類イオン)膜の基底状態は,厚さ,歪と酸素含有量によって影響される。二シリーズNdNiO_3+δ(NNO)のエピタキシャル薄膜の一厚さの変化(5 nm 16 nm)と酸素含有量と一定の厚さの変化に伴うを蒸着した。これらの変動にもかかわらず,膜は(LaAlO_3)0.3(Sr_2AlTaO_6)-0.7-[(LSAT)(001)]単結晶基板上のエピタキシャル成長を示した。電子と正孔,両者はNNO膜における輸送の電荷を持っている。温度が小さくなるとH all抵抗測定は正孔から電子に多数電荷キャリアのスイッチングを示した。温度に依存しない抵抗率(μΩ・cm)は300K付近の広い温度範囲で観測された。これらの結果は,NdNiO_3δの基底状態は室温で抵抗の必要な温度係数を達成するために修正することができ,微調整は次元クロスオーバに近い厚さでの最適な酸素含有量と組合せて達成できることを明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *絶縁材料 ,  温度係数 ,  エピタクシー ,  単結晶 ,  *薄膜 ,  電気抵抗率 ,  基底状態 ,  正孔 ,  *金属-絶縁体転移 ,  *絶縁体
準シソーラス用語： クロスオーバー ,  電荷キャリア ,  抵抗測定 ,  酸素含有量 ,  希土類イオン ,  *電荷輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 金属-絶縁体転移 ,  薄膜 ,  ペロブスカイト ,  Dimensionality ,  ニッケル酸塩 ,  酸素アニーリング

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 薄膜 ,  誘起 ,  金属-絶縁体転移 ,  電荷輸送