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J-GLOBAL ID：201702256974683058   整理番号：17A0524597

窒化ホウ素炭素膜に埋込まれた結晶h-BN量子ドットとナノドットの一段階合成

Single-step synthesis of crystalline h-BN quantum- and nanodots embedded in boron carbon nitride films

著者 (7件)： MATSOSO Boitumelo J (Univ. the Witwatersrand, Johannesburg, ZAF) ,  RANGANATHAN Kamalakannan (Univ. the Witwatersrand, Johannesburg, ZAF) ,  MUTUMA Bridget K (Univ. the Witwatersrand, Johannesburg, ZAF) ,  LEROTHOLI Tsenolo (Univ. the Witwatersrand, Johannesburg, ZAF) ,  JONES Glenn (Univ. Coll. London, London, GBR) ,  JONES Glenn (Johnson Matthey Technol. Center, Pretoria, ZAF) ,  COVILLE Neil J (Univ. the Witwatersrand, Johannesburg, ZAF)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 10  ページ： 105602,1-11  発行年： 2017年03月10日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ホウ素炭素(BCN)ハイブリッド膜中の六方晶窒化ホウ素(h-BN)量子ドット(QD)とナノドット(ND)の制御H₃BO₃蒸発温度依存成長とB₂O₂濃度依存成長を,大気圧化学蒸着(APCVD)法を用いて実現した。これを,ホウ素源をホットゾーンから様々な距離に置くことによって達成した。Ramanスペクトルは,格子歪がh-BN量子ドットの形成によって増加する,すなわちB源とCu基板間の距離が増加することを示した。AFM,TEM,HRTEM分析は,BCN格子中に埋込まれた様々なサイズの微結晶h-BN QD/NDの存在を示した。XPSスペクトルは,B源の位置を調整することによってハイブリッド膜の原子組成を調節できることを示した。

シソーラス用語： *炭素化合物 ,  膜 ,  埋込み【挿入】 ,  *窒化ホウ素 ,  *量子ドット ,  *ナノ構造 ,  *化学合成 ,  材料 ,  温度依存性 ,  濃度依存性 ,  化学蒸着 ,  ホウ酸 ,  蒸発 ,  酸化ホウ素 ,  ホウ素 ,  Ramanスペクトル ,  格子歪 ,  原子間力顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  微結晶 ,  X線光電子分光法 ,  化学組成 ,  六方晶系
準シソーラス用語： APCVD ,  HRTEM ,  *h-BN ,  *ナノドット ,  ハイブリッド材料 ,  *一段階合成 ,  距離依存性 ,  *窒化ホウ素炭素

分類 (2件)： 窒素とその化合物  (YB02050S) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (7件)： 窒化ホウ素 ,  炭素膜 ,  結晶 ,  h-BN ,  量子ドット ,  ナノドット ,  一段階合成