{{ $t("message.ADVERTISEMENT") }}
{{ $t("message.AD_EXPIRE_DATE") }}2024年03月
文献
J-GLOBAL ID:201702257039658514   整理番号:17A1223646

SiC-MOSFETのFowler-Nordheimストレス劣化の特徴

Special features of Fowler-Nordheim stress degradation of SiC-MOSFETs
著者 (3件):
資料名:
巻: 55  号: 4S  ページ: 04ER14.1-04ER14.6  発行年: 2016年04月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
SiC-MOSFETが著しく開発され,残された主な問題は高温安定性とゲート酸化物の完全性である。本論では,高ゲート電圧および高温ストレス時における市販SiC-MOSFETのIds-VgsとIg-Vgs特性の特長を報告した。さらに,捕獲電荷の特性への影響を明らかにする簡単な解析モデルを紹介した。伝導バンド端周辺の界面状態が,移動度とキャリア密度の両方に影響を及ぼす,負のバイアス温度不安定性(NBTI)と同様にFowler-Nordheimストレス劣化(FN劣化)の重要機構であることが示唆されている。正孔捕獲もまた,NBTIだけでなくFN劣化においても重要である。正のバイアス温度不安定性(PBTI)に見られる界面近傍の電子捕獲および脱捕獲も,FN劣化において観察される。SiC-MOSFETに最も特有のFNストレス中の連続的なIg増加は,界面近傍の電子捕獲がFNトンネリングにほとんど影響しないという観察に関連している。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
トランジスタ  ,  界面の電気的性質一般 
タイトルに関連する用語 (1件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る