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J-GLOBAL ID：201702257137633686   整理番号：17A1033507

制御電圧安定化のPLLシステムと方法論のPVT変動の影響の研究【Powered by NICT】

Research of PVT variation influence on PLL system and methodology of control voltage stabilization

著者 (4件)： Khachikyan Karen (Synopsys Armenia CJSC, 41 Arshakunyats Ave., Yerevan, Armenia) ,  Msryan Levon (Synopsys Armenia CJSC, 41 Arshakunyats Ave., Yerevan, Armenia) ,  Balabanyan Abraham (Synopsys Armenia CJSC, 41 Arshakunyats Ave., Yerevan, Armenia) ,  Tshshmarityan Artur (American University of Armenia, 40 Marshal Baghramyan Ave., Yerevan, Armenia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ELNANO  ページ： 190-193  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： VCOの制御電圧のPLLシステムと安定化方法論に及ぼすプロセス,電圧および温度変化の影響の研究を示した。PLL制御電圧安定化方法論は,PLLの制御電圧を安定化し,電力消費を減少させるロバストな機構を提供する。提案された安定化原理は,ゲート酸化膜の非理想性に起因するMOSFETキャパシタの漏れ電流を除外することにより実現した。提案した安定化原理は,高精度システムにおける高感度I/O回路に適用することができる。研究は28nm技術を用いて実行し,シミュレーションをシノプシスツールを用いて行った。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 位相同期ループ ,  MOSFET ,  *電圧安定化 ,  高感度 ,  電力消費 ,  コンデンサ ,  *電圧 ,  ロバスト性 ,  漏れ電流 ,  温度変動
準シソーラス用語： 高精度 ,  ゲート酸化膜 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 発振回路  (NC05020Y) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電圧安定化 ,  PLL ,  PVT ,  研究