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J-GLOBAL ID:201702257148993106   整理番号:17A1445728

異なる表面調製法と不動態化材料のためのシリコンの表面再結合変化の起源の界面分析に基づく透過型電子顕微鏡観察【Powered by NICT】

Transmission electron microscopy based interface analysis of the origin of the variation in surface recombination of silicon for different surface preparation methods and passivation materials
著者 (11件):
資料名:
巻: 214  号: 10  ページ: ROMBUNNO.201700286  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0774A  ISSN: 1862-6300  CODEN: PSSABA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,様々な洗浄プロセス後と異なる不動態化層のためのSiウエハの表面再結合の変化の根本的原因は,較正された光ルミネセンス(PL)イメージングと透過型電子顕微鏡(TEM)の組み合わせを用いて調べた。HF処理または酸化最終洗浄および/または調整プロセスの使用はSiN_x不動態化表面の表面再結合が,Al_2O_3/SiN_xスタックのほとんど影響に強い影響を持つことを示した。SiN_x不動態化層では,断面TEM画像は,最後の洗浄/調整段階で制御された酸化から生じる≒1 2nm SiO_x中間層の形成を明らかにした。SiO_x層の存在は,界面欠陥密度(D_it,ミッドギャップ)を一桁減少させると有効キャリア寿命を劇的に増加させる。Al_2O_3/SiN_x不動態化表面では,TEM研究は,SiO_x層は洗浄シーケンスは有効キャリア寿命に最小の影響を持つによるHF最終処理で終わる洗浄プロセスに対してもc-SiとAlO_x間の界面で形成されることを明らかにした。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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太陽電池  ,  酸化物薄膜 

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