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J-GLOBAL ID:201702257247674111   整理番号:17A1058508

ゾル-ゲル誘導アルミナ誘電体インキに基づいたインクジェット印刷薄膜高周波コンデンサ【Powered by NICT】

Inkjet-printed thin film radio-frequency capacitors based on sol-gel derived alumina dielectric ink
著者 (5件):
資料名:
巻: 43  号: 13  ページ: 9846-9853  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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印刷高周波受動部品の顕著な関心が寄せられてきたが,印刷誘電体材料の誘電正接は達成可能な品質因子制限してきた。Al_2O_3はRF受動エレクトロニクスのための最良で広く実施されている誘電体の一つである。,例えば,インクジェット印刷を用いた高品質Al_2O_3薄膜パターン空間的に能力が著しく現在の製造プロセスを単純化するであろう-コストを有意に減少させ,大面積エレクトロニクスの開発を可能にした。これまで,粒子ベースAl_2O_3インクは誘電体として探索されてきた,膜中のノズル閉塞と粒界形成を含むいくつかの欠点は進行を妨げた。本研究では,粒子自由Al_2O_3インクを開発し,RFキャパシタの実証した。流体と噴流特性を調べ,インクの広がりとコーヒーリング抑制の制御した。液体インクを400°Cに加熱して~120nm厚の平滑Al_2O_3膜への分解,<2nmの粗さであった。金属-絶縁体-金属キャパシタは,高い容量密度>450pF/mm~2,及び200の品質因子を示した。デバイスは極めて低い漏れ電流を有し,>25V,高破壊電圧,1MV/cmで2×10~ 9cm~2<を有していた。キャパシタを原子層堆積によって作製した類似Al_2O_3デバイスと良く一致した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (3件):
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セラミック・陶磁器の製造  ,  セラミック・磁器の性質  ,  インキ 

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