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J-GLOBAL ID：201702257441647872   整理番号：17A1723604

窒化アルミニウムフォトニック集積回路における高純度単一光子エミッタ【Powered by NICT】

High-purity single photon emitter in aluminum nitride photonic integrated circuit

著者 (7件)： Lienhard Benjamin (Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, USA) ,  Lu Tsung-Ju (Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, USA) ,  Jeong Kwang-Yong (Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, USA) ,  Moon Hyowon (Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, USA) ,  Iranmanesh Ava (Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, USA) ,  Grosso Gabriele (Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, USA) ,  Englund Dirk (Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： CLEO/Europe-EQEC  ページ： 1  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 効率的オンデマンド,ロバストな単一光子放出体(SPE)は量子情報処理[1]への応用の広い希薄に重要である。過去10年間に,固体系中の色中心は優れたSPE[2]として出現してきており,また,室温と低温温度での内部スピン状態への光学的アクセスを提供することが示されている。ダイヤモンド[3]及び炭化けい素[4]の色中心は最も集中的に研究されSPEである。最近,他のコスト効率の良いワイドバンドギャップ材料は,潜在的なホスト材料として魅力的になった。理論計算は6.015eVのバンドギャップを持つ窒化アルミニウム(AlN)は,光学的にアクセス可能なスピン状態[5]と良く分離したSPEのための安定な環境として働くことを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 低温 ,  バンドギャップ ,  炭化ケイ素 ,  *光集積回路 ,  色中心 ,  *窒化アルミニウム ,  ロバスト性 ,  ダイヤモンド
準シソーラス用語： 理論計算 ,  ワイドバンドギャップ ,  スピン状態 ,  量子情報処理 ,  オンデマンド ,  *単一光子 ,  *高純度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 窒化アルミニウム ,  フォトニック集積回路 ,  高純度 ,  単一光子エミッタ