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J-GLOBAL ID：201702257484253743   整理番号：17A0279330

マルチB SF層InGaP/GaAs高効率太陽電池【Powered by NICT】

Multi BSF layer InGaP/GaAs high efficiency solar cell

著者 (4件)： Verma Jivesh (Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology, Arunachal Pradesh, India) ,  Dey Pritam (Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology, Arunachal Pradesh, India) ,  Prajapati Ashish (Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology, Arunachal Pradesh, India) ,  Das T. D. (Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology, Arunachal Pradesh, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISCO  ページ： 278-281  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 裏面電界層は再結合速度を制御するための非常に単一及び多重接合太陽電池に対して非常に重要である。本研究ではマルチB SF層は細胞からの高い外部量子効率を得るために,トップ及びボトム両電池で使用されている。研究は二重接合InGaP/GaAs太陽電池を行い,BSF層の最適化はSilvaco ATLASシミュレーション法による計算数値モデリングを用いて行った。構造,光生成速度,BSF層の厚さはこの論文で議論した。この最適セル構造では,最大利用可能短絡電流密度は17.35mA~2であり,高い変換効率をもたらす2.69Vの開回路電圧で得られた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 最適化 ,  光生成 ,  *ヒ化ガリウム ,  電場 ,  *電池 ,  *太陽電池
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  変換効率 ,  短絡電流密度 ,  数値モデリング ,  外部量子効率 ,  多重接合 ,  再結合速度 ,  *高効率 ,  *InGaP , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： マルチ ,  InGaP ,  GaAs ,  高効率 ,  太陽電池