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J-GLOBAL ID：201702257770127614   整理番号：17A1198402

材料の電気的性質および磁気的性質に対する合成後修飾の影響

Impact of Postsynthetic Modification on the Electrical and Magnetic Properties of Materials

著者 (5件)： ASHA K. S. (Indian Inst. of Sci. Education and Res. Thiruvananthapuram, Kerala, IND) ,  AHMED Niyaz (Indian Inst. of Sci. Education and Res. Thiruvananthapuram, Kerala, IND) ,  NATH Ramesh (Indian Inst. of Sci. Education and Res. Thiruvananthapuram, Kerala, IND) ,  KUZNETSOV Denis (National Univ. Sci. and Technol., Moscow, RUS) ,  MANDAL Sukhendu (Indian Inst. of Sci. Education and Res. Thiruvananthapuram, Kerala, IND)
資料名： Inorganic Chemistry  (Inorganic Chemistry)
巻： 56  号： 13  ページ： 7316-7319  発行年： 2017年07月03日 
JST資料番号： C0566A  ISSN： 0020-1669  CODEN： INOCAJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テルビウム錯体,Tb(H₂O)(BTB)配位高分子(1)をソルボサーマル法により調製し,合成後Coイオンの添加を行い合成後修飾した。これらについて,単結晶X線回折,粉末X線回折,ICP-AES,エネルギー分散X線分析によりキャラクタライズした。その結果,Coイオンは金属交換されず,骨格のチャネル内に挿入されることがわかった。また磁化率の温度依存性測定により磁気的性質を調べ,更に電気的性質を調べた。1は強い磁気フラストレーションがあり,長距離規則化が妨げられていることがわかった。1へのCoの添加により,強誘電性とピエゾ電気性を有するようになることがわかった。

シソーラス用語： *イッテルビウム錯体 ,  *コバルト化合物 ,  *金属イオン ,  配位高分子 ,  化学合成 ,  添加物効果 ,  X線回折 ,  磁化率 ,  フラストレーション効果 ,  *強誘電性 ,  *圧電気 ,  結晶構造
準シソーラス用語： *コバルトイオン ,  ソルボサーマル法 ,  単結晶X線回折 ,  粉末X線回折

分類 (2件)： 第11族,第12族元素の錯体  (CE01050Y) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電気的性質 ,  磁気的性質 ,  修飾