文献

J-GLOBAL ID：201702257783919244   整理番号：17A1350220

金属-絶縁体電子相転移に基づく乱数発生器【Powered by NICT】

A random number generator based on insulator-to-metal electronic phase transitions

著者 (4件)： Jerry Matthew (University of Notre Dame, Notre Dame, IN 46556, USA) ,  Parihar Abhinav (Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA 30332, USA) ,  Raychowdhury Arijit (Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA 30332, USA) ,  Datta Suman (University of Notre Dame, Notre Dame, IN 46556, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： DRC  ページ： 1-2  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 乱数発生器(RNG)は現代暗号システム[1]における基本的ハードウェア成分である。乱数の発生は二つのクラス,擬RNG(乱数発生器)とハードウエア化RNG(乱数発生器)に細分化される。擬RNG(乱数発生器)ではソフトウェアアルゴリズムは決定論的ハードウェア上に実装されたが,初期値または「種子」のセット,セキュリティを低下させるに依存する。とは対照的に,ハードウェア化RNG(乱数発生器)は,天然に存在する物理的現象からのランダム数,熱雑音などを発生させた。しかし,実装はしばしば抵抗増幅器A DC鎖[2]またはバイアス除去回路[3]を生成する必要性に起因する大きなシリコンフットプリントに悩まされている。本研究では,二酸化バナジウム(VO_2)の絶縁体-金属相転移(IMT)に固有の確率性を発揮するためにコンパクトでスケーラブルな1T1R基づくRNGを実験的に実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *乱数発生器 ,  バイアス ,  暗号 ,  *絶縁体 ,  熱雑音 ,  ハードウェア ,  金属-絶縁体転移 ,  増幅器 ,  *乱数 ,  セキュリティ
準シソーラス用語： 二酸化バナジウム ,  ハードウェア化 ,  初期値 ,  決定論 ,  電子相転移 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 発振回路  (NC05020Y) ,  符号理論  (ND02030R)

タイトルに関連する用語 (3件)： 絶縁体 ,  電子相転移 ,  乱数発生器