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J-GLOBAL ID：201702257879866825   整理番号：17A0436159

フォスホレンとそのナノ構造の最近の研究の進歩

Recent Advances in the Study of Phosphorene and its Nanostructures

著者 (5件)： SORKIN V. (Inst. of High Performance Computing, Singapore) ,  CAI Y. (Inst. of High Performance Computing, Singapore) ,  ONG Z. (Inst. of High Performance Computing, Singapore) ,  ZHANG G. (Inst. of High Performance Computing, Singapore) ,  ZHANG Y. W. (Inst. of High Performance Computing, Singapore)
資料名： Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences  (Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences)
巻： 42  号： 1  ページ： 1-82  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： A0248B  ISSN： 1040-8436  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 黒色のリンの単一層であるホスホレンは最近かなりの興味を集めているが,その理由は8個の原子から成る単位胞の奇妙な構造と魅惑的な電子物性である。特に競争者と考えられる遷移金属二カルコゲン化物と比べて優っている高い電荷キャリア移動度(300~000cm²V^-1s^-1),(可視から赤外に及ぶ)直接バンドギャップ半導体特性と電子光学及び熱機械的性質における強い異方性のような顕著な特性はナノエレクトロニクス,センサ,エネルギー変換と先進工学材料などにおける適用への真新しい機会を拓くものでる。高い移動度と低いオンオフ比を有するグラフェンはこの二点に関してグラフェンと遷移金属二カルコゲン化物の中間の程よいところに位置している。この論文ではフォスフォレンとその誘導体(ナノリボン,ナノチューブ,フラーレンとヘテロ構造)に関する最新の進歩を紹介する。特に重点を置くのは構造,形態,特性(電子,光学,磁性,熱,機械)および応用(トランジスタ,フォノン検出器,デジタル回路,センサ,熱電材料とリチウムイオン電池)である。それに加えてこれらの性質を改変する方途として,物理的,化学的官能化,欠陥調整,歪管理と電場についても議論する。目的はこの速やかに展開中の分野における最前線の紹介だが,そこに釣り合いがとれた理論的,実験的展望も付け加える。

シソーラス用語： *単一層 ,  *キャリア移動度 ,  *バンドギャップ ,  異方性 ,  構造特性 ,  形態 ,  物理的性質 ,  磁性 ,  適応 ,  歪 ,  電場 ,  *黒リン ,  *ナノ構造 ,  リボン結晶 ,  ナノチューブ
準シソーラス用語： 欠陥調整 ,  直接バンドギャップ ,  電子物性 ,  *フォスフォレン ,  ナノリボン

分類 (2件)： 非金属元素とその化合物の結晶構造  (BK07010N) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (2件)： ナノ構造 ,  研究