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J-GLOBAL ID：201702257909928218   整理番号：17A1830857

Kelvinプローブ力顕微鏡によるGaN系μLEDsにおける歪緩和分布に関する研究【Powered by NICT】

Study on Strain Relaxation Distribution in GaN-Based μLEDs by Kelvin Probe Force Microscopy

著者 (13件)： Zhan Jinglin (State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics School of Physics Peking University, Beijing 100871, China) ,  Chen Zhizhong (State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics School of Physics Peking University, Beijing 100871, China) ,  Jiao Qianqian (State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics School of Physics Peking University, Beijing 100871, China) ,  Feng Yulong (State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics School of Physics Peking University, Beijing 100871, China) ,  Li Chengcheng (State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics School of Physics Peking University, Beijing 100871, China) ,  Chen Yifan (State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics School of Physics Peking University, Beijing 100871, China) ,  Jiao Fei (State Key Laboratory of Nuclear Physics and Technology Peking University, Beijing 100871, China) ,  Kang Xiangning (State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics School of Physics Peking University, Beijing 100871, China) ,  Li Shunfeng (Sino Nitride Semiconductor Co. Ltd, Dongguan 523500, Guangdong, China) ,  Yu Tongjun (State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics School of Physics Peking University, Beijing 100871, China) ,  Zhang Guoyi (State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics School of Physics Peking University, Beijing 100871, China) ,  Zhang Guoyi (Sino Nitride Semiconductor Co. Ltd, Dongguan 523500, Guangdong, China) ,  Shen Bo (State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics School of Physics Peking University, Beijing 100871, China)
資料名： Physica Status Solidi. C. Current Topics in Solid State Physics  (Physica Status Solidi. C. Current Topics in Solid State Physics)
巻： 14  号： 11  ページ： ROMBUNNO.201700222  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1400A  ISSN： 1862-6351  CODEN： PSSCGL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaN量子井戸(QW)の偏光を,GaN系発光ダイオード(LED)のための重要な問題である。Kelvinプローブ力顕微鏡(KPFM)は,マイクロLED(μLEDs)のメサに及ぼす歪緩和分布を検出した。KPFMの結果を数値計算の助けを借りて解析した。空間電荷層(SCL)とバンド構造に及ぼす分極の効果を考慮に入れた。直径の異なるμLEDからKPFMのデータを比較すると,より小さなサイズμLEDは歪緩和の影響を受け大きな面積を持っていた。この現象はμLEDに対して優れた性能を保証する。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 偏光 ,  量子井戸 ,  バンド構造 ,  *窒化ガリウム ,  発光ダイオード ,  数値計算 ,  空乏層
準シソーラス用語： InGaN ,  *歪緩和 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： Kelvinプローブ力顕微鏡 ,  マイクロLED ,  歪緩和

分類 (1件)： 顕微鏡法  (BK01040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Kelvinプローブ力顕微鏡 ,  GaN ,  歪緩和 ,  分布 ,  研究