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J-GLOBAL ID：201702258036703004   整理番号：17A1411606

BiCuSeO熱電素子における予想外のn型ドーパントとしてのシリコン

Silicon As an Unexpected n-Type Dopant in BiCuSeO Thermoelectrics

著者 (3件)： SHEN Jiahong (Univ. Hong Kong, Hong Kong SAR, CHN) ,  SHEN Jiahong (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  CHEN Yue (Univ. Hong Kong, Hong Kong SAR, CHN)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 33  ページ： 27372-27376  発行年： 2017年08月23日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： BiCuSeOの電子構造および電気輸送特性に対する第IV族元素(Si,Ge,SnおよびPb)のドーピング効果を第一原理計算により研究した。これらのドーパントのすべては,電荷状態および化学ポテンシャルにかかわらず,Biサイトを占める傾向があることが分かった。Siのドーピング効果は,IV族の他の元素とは明らかに異なり,SiはBiCuSeO中のn型ドーパントであるが,他の元素(Ge,Sn,およびPb)はp型ドーパントである事を見出した。Fermi準位付近のSiドープBiCuSeOでは顕著なバンドの変化が見られた。電気輸送特性をBoltzmann輸送理論を用いて計算し,SiドープBiCuSeOはn型熱電材料として有望である事を示した。

シソーラス用語： *電子構造 ,  バンド構造 ,  計算 ,  *ビスマス化合物 ,  *銅化合物 ,  *セレン化合物 ,  *酸化物 ,  *熱電材料 ,  ドーピング ,  状態密度 ,  Boltzmann方程式 ,  熱起電力 ,  キャリア密度 ,  結晶構造 ,  ケイ素
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  熱電能

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 熱電素子 ,  予想 ,  ドーパント ,  シリコン