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J-GLOBAL ID：201702258051983728   整理番号：17A0830731

PEDOTにGO添加後の性能を改善した高分子太陽電池の電気化学的及び光電流測定によるキャラクタリゼーション:PSS正孔輸送層【Powered by NICT】

Electrochemical and photocurrent characterization of polymer solar cells with improved performance after GO addition to the PEDOT:PSS hole transporting layer

著者 (7件)： Iwan Agnieszka (Military Institute of Engineer Technology, Obornicka 136 Str., 50-961 Wroclaw, Poland) ,  Caballero-Briones Felipe (Instituto Politecnico Nacional, Materials and Technologies for Energy, Health and Environment (GESMAT), CICATA Altamira, Km 14.5 Carretera Tampico-Puerto Industrial Altamira, 89600 Altamira, Mexico) ,  Filapek Michal (Institute of Chemistry, University of Silesia, 9 Szkolna Str., 40-006 Katowice, Poland) ,  Boharewicz Bartosz (Electrotechnical Institute, Division of Electrotechnology and Materials Science, M. Sklodowskiej-Curie 55/61, 50-369 Wroclaw, Poland) ,  Tazbir Igor (Electrotechnical Institute, Division of Electrotechnology and Materials Science, M. Sklodowskiej-Curie 55/61, 50-369 Wroclaw, Poland) ,  Hreniak Agnieszka (Electrotechnical Institute, Division of Electrotechnology and Materials Science, M. Sklodowskiej-Curie 55/61, 50-369 Wroclaw, Poland) ,  Guerrero- Contreras Jesus (Centro de Investigacion en Quimica Aplicada, Laboratorio Nacional de Materiales Grafenicos, Blvd. Enrique Reyna No. 140, Col. San Jose de los Cerritos, 25294 Saltillo, Coah., Mexico)
資料名： Solar Energy  (Solar Energy)
巻： 146  ページ： 230-242  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0099A  ISSN： 0038-092X  CODEN： SRENA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,異なる構造をもつバルクヘテロ接合高分子太陽電池(PSC)の性能と電気化学的性質を改質するために添加した化学的に合成したグラフェン酸化物(GO)。GOは改良したHummers法により得られ,Raman分光法,Fourier変換赤外分光法,X線回折,サイクリックボルタンメトリー(CV)によって完全に特性化した。P3HT:PC_61BMまたはPTB7:PC_71BM活性層とPEDOT:正孔輸送層(HTL)としてPSSをもつバルクヘテロ接合PSCを構築し,検討した(i)HTL中のGOの濃度,(ii)GOの酸性度,(iii)活性層で使用したポリマーの型,(iv)活性層のアニーリング温度と(v)GOはデバイス中に組み入れられている。PSCでは,GOへのPEDOT:PSSの体積比が1:1のとき,最良の性能は,ITO/PEDOT:PSS:GO/PTB7:PC_71BM/Al構成を持つデバイスで得られた。これらの条件下で,電力変換効率(PCE)5.22%開回路電圧V_oc=0.654V,短絡電流密度J_sc=15.17mA~2,及び曲線因子FF=0.53を達成した。P3HT:PC_61BM活性層を有する素子では,素子の良好な性能は,75°Cの代わりに130°Cでアニールした活性層で達成されたことを示した。ITO/(PEDOT:PSS):GO(1:1)/P3HT:PC_61BM(75°C)/Al装置約75%高いのためにPCEは参照デバイス(GO=1.07%を持つデバイスでGO=0.64%,PCEの無い素子のPCE)と比較して見出した。PEDOT:PSSにおけるエネルギーギャップとH OMO-LUMOレベルに対するGOの影響をCV法により検討した。HTL中のGOの観察された効果は,HOMO-LUMOギャップを減少させ,エネルギーの下方LUMO位置をシフトし,GO含有量とすることである。素子は,さらに電気化学インピーダンス分光法(EIS)によって試験し,良く適合した等価回路を提案した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： LUMO ,  スペクトロスコピー ,  *ポリエチレンジオキシチオフェン ,  活性層 ,  エネルギーギャップ ,  Raman分光法 ,  *電気化学
準シソーラス用語： 電気化学インピーダンス分光法 ,  曲線因子 ,  短絡電流密度 ,  電力変換効率 ,  PEDOT:PSS ,  バルクヘテロ接合 ,  酸化グラフェン ,  *正孔輸送層 ,  *高分子太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 酸化グラフェン ,  高分子太陽電池 ,  電気化学的性質

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： PEDOT ,  高分子太陽電池 ,  電気化学 ,  光電流 ,  キャラクタリゼーション ,  PSS ,  正孔輸送層