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J-GLOBAL ID：201702258096635663   整理番号：17A0449019

MOCVD成長させたCdTe薄膜の結晶粒成長を促進するための複合NaとCl処理【Powered by NICT】

A combined Na and Cl treatment to promote grain growth in MOCVD grown CdTe thin films

著者 (5件)： Amirkhalili Arezoo (Department of Physics & Electrical Engineering, Northumbria University, Ellison Building, Newcastle upon Tyne, NE1 8ST, UK) ,  Barrioz Vincent (Department of Physics & Electrical Engineering, Northumbria University, Ellison Building, Newcastle upon Tyne, NE1 8ST, UK) ,  Irvine Stuart J.C. (Centre for Solar Energy Research, Swansea University, OpTIC Centre, St Asaph, LL17 0JD, UK) ,  Beattie Neil S. (Department of Physics & Electrical Engineering, Northumbria University, Ellison Building, Newcastle upon Tyne, NE1 8ST, UK) ,  Zoppi Guillaume (Department of Physics & Electrical Engineering, Northumbria University, Ellison Building, Newcastle upon Tyne, NE1 8ST, UK)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 699  ページ： 969-975  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属被覆基板上に堆積したテルル化カドミウム(CdTe)薄膜太陽電池吸収体中のナトリウム(Na)の役割を調べた。構造の成長中のNaの導入有機金属化学気相成長法(MOCVD)により成長させたCdTe層の形態学的および結晶学的性質に影響を与えた。金属とCdTe層間でのNaの導入は(400)と(220)方位の促進を介してわずかなランダム化を誘導することを観察した。基板とMo背面金属接触間のNaの包含はCdCl_2処理後のCdTe結晶粒を大きく50%が基板への接着を弱めることを示した。Mo背面接触とCdTe層の間のNaの導入は,Na自由堆積の場合よりも十倍大きい平均粒径を持つ成長したままの膜の大きなファセット結晶粒の形成を促進し基板への良好な接着を維持した。CdCl_2処理後の結晶粒成長したがCdTe粒径はNa試料の2倍されていない。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶学 ,  *結晶成長 ,  ファセット ,  *MOCVD ,  *結晶粒 ,  *塩素 ,  粒径 ,  *ナトリウム ,  *テルル化カドミウム ,  モリブデン ,  メタライゼーション ,  モルフォロジー ,  薄膜 ,  吸収体
準シソーラス用語： 薄膜太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 薄膜 ,  蒸着 ,  MOCVD ,  CdTe ,  結晶粒成長 ,  ナトリウム

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  変態組織,加工組織  (WB01030N)

タイトルに関連する用語 (8件)： MOCVD ,  成長 ,  CdTe ,  薄膜 ,  結晶粒成長 ,  促進 ,  Na ,  Cl