文献

J-GLOBAL ID：201702258101859240   整理番号：17A1712874

増強されたエレクトロルミネセンス特性を有するナノ構造化多孔質シリコンを埋込まれたMoS_2量子ドットの電気化学的合成【Powered by NICT】

Electrochemical synthesis of MoS₂ quantum dots embedded nanostructured porous silicon with enhanced electroluminescence property

著者 (6件)： Shrivastava Megha (Optical Nanomaterials Lab, Centre for Nanoscience and Engineering, Department of Physics, Maulana Azad National Institute of Technology, Bhopal, MP, 462051, India) ,  Kumari Reeta (Optical Nanomaterials Lab, Centre for Nanoscience and Engineering, Department of Physics, Maulana Azad National Institute of Technology, Bhopal, MP, 462051, India) ,  Parra Mohammad Ramzan (Optical Nanomaterials Lab, Centre for Nanoscience and Engineering, Department of Physics, Maulana Azad National Institute of Technology, Bhopal, MP, 462051, India) ,  Pandey Padmini (Optical Nanomaterials Lab, Centre for Nanoscience and Engineering, Department of Physics, Maulana Azad National Institute of Technology, Bhopal, MP, 462051, India) ,  Siddiqui Hafsa (Optical Nanomaterials Lab, Centre for Nanoscience and Engineering, Department of Physics, Maulana Azad National Institute of Technology, Bhopal, MP, 462051, India) ,  Haque Fozia Z. (Optical Nanomaterials Lab, Centre for Nanoscience and Engineering, Department of Physics, Maulana Azad National Institute of Technology, Bhopal, MP, 462051, India)
資料名： Optical Materials  (Optical Materials)
巻： 73  ページ： 763-771  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0468A  ISSN： 0925-3467  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本報告では,luminophorousモリブデンジスルフィド(MoS_2)量子ドット(QD’s)を埋め込むことの考えとナノ構造n型多孔質シリコン(PS)のエレクトロルミネセンス(EL)の成功した増強を示した。電気化学的陽極酸化法はPS表面の形成のために使用され,MoS_2QDの電気化学的方法を用いて調製した。スピンコーティング法は,PSナノ構造内のMoS_2QDの適切な導入のために用いた。結晶学的分析をX線回折(XRD),Raman及びFourier変換赤外(FT IR)分光法を用いて行った。しかし,表面形態は透過型電子顕微鏡(TEM)と原子間力顕微鏡(A FM)を用いて測定した。光学測定は,光ルミネセンス(PL)分光光度計で実施した。さらにエレクトロルミネセンス(EL)研究のための装置セットアップの特有配置を,本研究の新規性を提供する実験室レベルで行った。ダイオードプロトタイプをEL研究のためのAg/MoS_2:PS/Silicon/Agを構成した。MoS_2:PSはPLと同様にEL強度,オプトエレクトロニクスデバイスへの応用でこの戦略をよりよく利用するための道を開くの顕著な濃度依存性増強を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *量子ドット ,  スピンコーティング ,  濃度依存性 ,  原子間力顕微鏡 ,  *化学合成 ,  光ルミネセンス ,  *ナノ構造 ,  *電気化学 ,  光学的測定 ,  分光光度計 ,  *エレクトロルミネセンス ,  陽極酸化処理 ,  透過型電子顕微鏡
準シソーラス用語： 光電子デバイス ,  表面形態 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 多孔質シリコン ,  MoS_2量子ドット ,  光ルミネセンス ,  エレクトロルミネセンス

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 増強 ,  エレクトロルミネセンス ,  構造化 ,  多孔質シリコン ,  埋込 ,  量子ドット ,  化学的合成