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J-GLOBAL ID:201702258108732257   整理番号:17A1489676

P3HT:PCBMに基づくBHJ太陽電池の順方向バイアスC-V特性からの接触表面光起電力の測定【Powered by NICT】

Measurement of contact surface photo-voltage from forward bias C-V characteristics of P3HT:PCBM based BHJ solar cells
著者 (7件):
資料名:
巻: 172  ページ: 25-33  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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表面光起電力(SPV)および開回路条件におけるキャリア蓄積は接触品質とバンド曲がりの敏感な指標である。しかし,これらは実験で直接アクセス可能ではない。従来(透明陽極)と逆(透明カソード)構造双方に対してSPVを調べるためにP3HT:PCBMベースのバルクヘテロ接合における容量-電圧(C V)特性を解析した。暗条件下でC-V特性は内蔵電圧を抽出するドリフト-拡散モデルを用いて解析し,白色光照射下ではSPVを生成した。アノードでのSPVと対応するキャリア密度は,従来構造に対する光強度の関数として定量化し,二例の機構を区別するための逆構造の結果と比較した。より高い開回路電圧を有する反転構造は従来のものに比べてSPVで特徴づけられる。ここで述べたように,SPVを得る技術とその基礎となる機構はデバイス構造の変化を示唆するのに用いることができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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太陽電池 

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