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J-GLOBAL ID:201702258123814318   整理番号:17A0969471

Huisgen反応を用いたポスト官能化によるメッシュ基板の濡れ性の制御【Powered by NICT】

Controlling the wettability of mesh substrates by post-functionalization using the Huisgen reaction
著者 (3件):
資料名:
巻: 195  ページ: 67-73  発行年: 2017年 
JST資料番号: E0934A  ISSN: 0254-0584  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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後官能化による制御された濡れ性を有するプラットフォームメッシュ基板を作製するための電着の使用を初めて報告した。最初に,アジド(N_3)基を有するPEDOTナノファイバーメッシュワイヤ周囲電着した。,表面上の異なる疎水性置換基をグラフトするためにH uisgen反応は種々のアルキン(アルキル,ペルフルオロアルキルおよびアリール)を用いて使用されている。本研究では,表面形態と濡れ性の両方に及ぼす後処理の大きな影響を示した。も親油性(θ<5°)/超疎水性(θ>150°)または高疎油性(ヘキサデカンでθ>120°)/超疎水性表面(θ>150°)を調製するためのユニークなプラットフォームメッシュから開始する可能性を示した。このような技術は油と水に分離装置,例えばとして使用できた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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電極過程  ,  電気化学反応 
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