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J-GLOBAL ID：201702258155826595   整理番号：17A1727294

高性能グラフェン/シリコン光検出器の設計【Powered by NICT】

Design of high performance Graphene/Silicon photodetectors

著者 (4件)： Iqbal Saqib (Department of Electrical Engineering, Lahore University of Management Sciences (LUMS), Lahore, Pakistan) ,  Imran Hassan (Department of Electrical Engineering, Lahore University of Management Sciences (LUMS), Lahore, Pakistan) ,  Qasim Usama B. (Department of Electrical Engineering, Lahore University of Management Sciences (LUMS), Lahore, Pakistan) ,  Butt Nauman Z. (Department of Electrical Engineering, Lahore University of Management Sciences (LUMS), Lahore, Pakistan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SISPAD  ページ： 205-208  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光吸収性基板(例えば,ケイ素(Si))上のグラフェンの薄い層が光検出のための超高感度を示した。2端子(ダイオード)および3端子(MOSFET)配置の両方で示したように,Siデバイス上のグラフェンは弱い光信号の検出における従来の光検出器より性能が優れていることができる。Si上のグラフェンにおける高光応答は,(i)基板からの光生成キャリア注入に起因するグラフェンドーピング,及び(ii)大きな量子利得を可能にするグラフェンの高いキャリア移動度の組合せ効果を基板に起因する。ここでは,自己無撞着数値シミュレーションを用いた光誘起されたグラフェンドーピングに影響する設計パラメータを調べた。基板キャリアは低移動度と高い寿命を持つ場合の光応答は非常に改善されることを示した。基板の移動度に及ぼす光応答の外見上の対直感依存性を物理的に説明した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *光検出 ,  *ケイ素 ,  キャリア移動度 ,  *光検出器 ,  ダイオード ,  光生成 ,  光信号 ,  *グラフェン ,  キャリア注入 ,  MOSFET ,  移動度 ,  利得
準シソーラス用語： 光誘起 ,  数値シミュレーション ,  光応答 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高性能 ,  グラフェン ,  シリコン ,  光検出器 ,  設計