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J-GLOBAL ID：201702258155937064   整理番号：17A0607848

無機基板上のκ型ET塩FETにおける歪み印加電子状態制御

著者 (8件)： 川口玄太 (岡崎国立共同研究機構 分子科研) ,  川口玄太 (JST-ERATRO) ,  須田理行 (岡崎国立共同研究機構 分子科研) ,  須田理行 (JST-ERATRO) ,  須田理行 (理研) ,  山本浩史 (岡崎国立共同研究機構 分子科研) ,  山本浩史 (JST-ERATRO) ,  山本浩史 (理研)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 72  号： 1  ページ： ROMBUNNO.18pC21-3  発行年： 2017年03月21日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *絶縁体 ,  *歪 ,  *電子状態 ,  電子系 ,  *有機材料 ,  電気抵抗
準シソーラス用語： *Mott絶縁体 ,  強相関物質

分類 (3件)： 有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  力,仕事量,圧力,摩擦の計測法・機器  (AD05050V) ,  金属-絶縁体転移  (BM02110T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 型 ,  塩 ,  FET ,  歪み ,  印加 ,  電子状態