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J-GLOBAL ID：201702258188131934   整理番号：17A0552136

シリセン/アルセネンの超薄ヘテロ構造の新しい電子的及び光学的性質と電場効果

Novel electronic and optical properties of ultrathin silicene/arsenene heterostructures and electric field effects

著者 (3件)： Shu Huabing (College of Mathematics and Physics, Jiangsu University of Science and Technology, Zhenjiang 212001, China. [e-mail]) ,  Tong Yilong ,  Guo Jiyuan
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 16  ページ： 10644-10650  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゼロギャップ半導体のシリセンをオプトエレクトロニクス用素子に使うには,その高キャリア移動度を損なわずに有意な大きさのバンドギャップを入れることが不可欠である。そこでシリセンのK点で約125meVの直接バンドギャップを開く可能性がある,シリセンとアルセネンのナノ複合材料(Si/Asヘテロ構造)を使った新しい原子級薄さのシステムを設計した。またそのバンドギャップは外部電場(E_⊥)のために半導体-金属転移が起きても広い範囲で線形制御することができ,E_⊥=-0.9VÅ^-1で328meVの大きいバンドギャップにできる。おまけにこのSi/Asヘテロ構造は遠赤外域で著しい光吸収をも出し得る。第一の明るい励起子の結合エネルギーは623meVと大きく,E_⊥が高い時にかなり上昇させ得る。この可制御性バンドギャップと優れた光吸収のためにSi/Asヘテロ構造はナノエレクトロニクスやオプトエレクトロニクス用に有望な候補になる。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ナノシート ,  *ヒ素 ,  *ナノ複合材料 ,  素子構造 ,  半導体 ,  *バンドギャップ ,  *光吸収 ,  金属-半導体転移 ,  相転移 ,  線形制御系 ,  可制御性
準シソーラス用語： *アルセネン ,  *シリセン ,  ゼロギャップ半導体 ,  ヘテロ構造 ,  半導体-金属転移

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリセン ,  アルセネン ,  ヘテロ構造 ,  電子 ,  光学的性質 ,  電場効果