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J-GLOBAL ID:201702258208955345   整理番号:17A0449194

電力変換効率2.39%のスパッタ蒸着したCu_2SnS_3(CTS)薄膜太陽電池の作製【Powered by NICT】

Fabrication of sputtered deposited Cu2SnS3 (CTS) thin film solar cell with power conversion efficiency of 2.39 %
著者 (6件):
資料名:
巻: 701  ページ: 901-908  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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電力変換効率(PCE)2.39%のCu_2SnS_3(CTS)薄膜太陽電池は,硫化を受けたスパッタ金属Cu/Sn積層前駆体を用いて作製した。結晶構造,相純度,原子組成,酸化状態,外部量子効率,薄膜の光学的および電気的特性をX線回折(XRD),Raman分光法,X線蛍光(XRF)分光法,X線光電子分光法(XPS),量子効率研究,UV-可視およびホール測定システムを用いて詳細に特性化した。構造,組成および微細構造特性だけでなくCTS薄膜のデバイス性能に及ぼす様々なCu堆積時間の影響を評価した。CTS薄膜の特性はスパッタリング過程中のCu堆積時間に強く依存することが分かった。Cu堆積時間は2812秒から3212秒まで変化させ,2812Sで堆積した膜は208mVの開回路電圧(V_oc),28.92mA~2の短回路電流密度(J_sc)と39.7%の曲線因子(FF)で2.39%の最も高い電力変換効率(PCE)を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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太陽電池  ,  その他の無機化合物の薄膜 
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