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J-GLOBAL ID：201702258239124185   整理番号：17A0527054

速度論的に制御した置換による準安定なヘテロ構造の変調ドーピング

Modulation Doping in Metastable Heterostructures via Kinetically Controlled Substitution

著者 (9件)： WOOD Suzannah R. (Univ. Oregon, Oregon, USA) ,  MERRILL Devin R. (Univ. Oregon, Oregon, USA) ,  MITCHSON Gavin (Univ. Oregon, Oregon, USA) ,  LYGO Alexander C. (Univ. Oregon, Oregon, USA) ,  BAUERS Sage R. (Univ. Oregon, Oregon, USA) ,  HAMANN Danielle M. (Univ. Oregon, Oregon, USA) ,  SUTHERLAND Duncan R. (Univ. Oregon, Oregon, USA) ,  DITTO Jeffrey (Univ. Oregon, Oregon, USA) ,  JOHNSON David C. (Univ. Oregon, Oregon, USA)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 29  号： 2  ページ： 773-779  発行年： 2017年01月24日 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (Bi_xSn_1-x)_1+σTiSe₂のキャリア移動度に対するBiドーパントの影響について調べた。特製した蒸着装置を用いて真空中でTi-Se-Bi-Sn-Sn-Seの順にシャッタ開放による反応時間の調節で熱電性半導体膜を作製した。XRDやハイアングル円環暗視野(HAADF)-STEMを用いて,膜の原子レベルナノ構造とキャリア移動との関連を調べた。xが0.48から0.71まで増加するとき,膜内のBi-Bi対の割合が増えて,キャリア移動度が低下することがわかった。

シソーラス用語： *熱電材料 ,  金属間化合物 ,  *セレン化物 ,  スズ化合物 ,  チタン化合物 ,  ドーパント ,  ビスマス ,  添加物効果 ,  半導体薄膜 ,  製膜 ,  キャリア移動度

分類 (2件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 速度論 ,  置換 ,  ヘテロ構造 ,  変調ドーピング