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J-GLOBAL ID:201702258241008663   整理番号:17A0914038

IGBTのスイッチング電力損失計算への少数キャリア寿命の依存性【Powered by NICT】

Minority carrier lifetime dependence into switching power loss calculation of IGBT
著者 (4件):
資料名:
巻: 2017  号: ECCE  ページ: 79-82  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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(NPT)絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を介した非パンチのスイッチング電力損失計算に少数キャリア寿命依存性の詳細な研究を紹介した。放物近似をベース内の少数キャリア濃度をモデル化するための使用されてきた。この新しい発現のおかげで解析モデルは,すべての少数キャリア寿命条件におけるIGBTの過渡ターンオフ電圧と電流のために開発した。実際結果との良い整合性は以前に使用された線形モデルと比較してこの放物線モデルで見られた。最後に,スイッチング電力損失の計算に及ぼすキャリア寿命依存性の意味を考察した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
分類
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太陽電池  ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器 

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