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J-GLOBAL ID:201702258315082559   整理番号:17A0417512

フィードバック抵抗器を有する差動リング発振器に基づいた65nm CMOSによる8.28Mb/s28Mb/mJロバスト真乱数発生器【Powered by NICT】

8.2 8Mb/s 28Mb/mJ robust true-random-number generator in 65nm CMOS based on differential ring oscillator with feedback resistors
著者 (3件):
資料名:
巻: 2017  号: ISSCC  ページ: 144-145  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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オンチップ真の乱数発生器(TRNG)は,建物安全なシステム[1]のための重要な構成要素として注目を集めている。CMOS TRNGは典型的にはランダムビットを生成するためのデバイスレベル雑音,熱またはフリッカ雑音などを利用する[2]。各種CMOS TRNGの中で,メタ安定性ベースTRNGはランダムビット発生のための非常に高いスループットを持つことが知られているが,それはバイアス[6]を抑制するために高度な制御とキャリブレーション回路を必要とする。もう一つの一般的な型はリング発振器(RO)ベースのTRNG,タイミングジッタ[1-5]を利用した。比較的簡単な回路は,魅力的な選択肢であるが,電源攻撃とプロセス/環境変動に対する耐性[3]を改善する必要がある。最近,前調整に基づくインバータチェインのあるセットの選択的な使用は,プロセス変動効果[2]を緩和するために提案した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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発振回路  ,  その他の電子回路 

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