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J-GLOBAL ID：201702258451633787   整理番号：17A1239838

金属ハロゲン化物ペロブスカイト材料の蒸着を利用した設計高密度ナノスケールデバイスのための戦略【Powered by NICT】

A Strategy to Design High-Density Nanoscale Devices utilizing Vapor Deposition of Metal Halide Perovskite Materials

著者 (2件)： Hwang Bohee (Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Pohang, 790-784, Korea) ,  Lee Jang-Sik (Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Pohang, 790-784, Korea)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 29  号： 29  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高記憶密度のための需要は情報貯蔵のニーズの増加により増加している,ビッグデータ処理とモノのインターネット(IoT)である。不揮発性抵抗スイッチングメモリ特性を示す有機-無機ペロブスカイト材料は,次世代メモリデバイスの抵抗スイッチング層としての潜在的用途を持っているが,実用的な応用のために,これらの材料は高密度データ記憶デバイスに利用すべきである。ナノスケールメモリーデバイスは250nmバイアホールを穿孔したウエハ上に有機鉛ハロゲン化物ペロブスカイト(OHP)CH_3NH_3PbI_3層の連続蒸着により作製した。これらの素子はバイポーラ抵抗スイッチング特性を有しており,低電圧動作,高速スイッチング速度(200 ns),良好な耐久性とデータ保持時間>10~5sを示した。さらに,逐次蒸着の使用は,クロスポイントアレイ構造における記憶要素としてCH_3NH_3PbI_3を堆積させるために拡張した。高密度記憶素子を作製するこの方法は,大面積を占めることをメモリセルに利用可能であり,既存の方法のスケーリング限界を克服するも記憶貯蔵容量を増加させるOHPsを用いる方法を提案した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 耐久性 ,  *ハロゲン化物 ,  記銘 ,  非揮発性 ,  バイアホール ,  高速度 ,  記憶素子 ,  *蒸着 ,  記憶装置
準シソーラス用語： スイッチング速度 ,  低電圧 ,  スイッチング特性 ,  抵抗スイッチング ,  抵抗スイッチングメモリ ,  *高密度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： CMOS互換性のプロセス ,  高速スイッチング速度 ,  有機-無機ペロブスカイト ,  抵抗スイッチングメモリ ,  逐次蒸着

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 金属ハロゲン化物ペロブスカイト ,  蒸着 ,  設計 ,  高密度 ,  ナノスケール ,  戦略