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J-GLOBAL ID：201702258524349812   整理番号：17A1273396

産業応用のための3.3kV SiC MOSFETの設計と製作【Powered by NICT】

Design and fabrication of 3.3kV SiC MOSFETs for industrial applications

著者 (5件)： Rusag Xing (United Silicon Carbide Inc., Monmouth Junction, New Jersey, USA) ,  Vursin Leonid (United Silicon Carbide Inc., Monmouth Junction, New Jersey, USA) ,  Bhalla Anup (United Silicon Carbide Inc., Monmouth Junction, New Jersey, USA) ,  Simon William (United Silicon Carbide Inc., Monmouth Junction, New Jersey, USA) ,  Dries J. Chris (United Silicon Carbide Inc., Monmouth Junction, New Jersey, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISPSD  ページ： 255-258  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高出力密度と高い温度能力のために,炭化けい素MOSFETは効率を改善し,トラクション駆動装置と系統連系再生可能エネルギー変換のような多くの工業的応用のためのシステムサイズを低減するための有望な電力用半導体スイッチである。これ等海域に於けるSiC MOSFETの採用は,その高いコストと貧弱な短絡ロバスト性により遅れている。本報告では,90%以上の収率を用いた6インチウエハ上に作製した3.3kV SiC MOSFETを実証した。実験計画は,SiC MOSFETの抵抗成分を抽出し,異なる設計による短絡ロバスト性を探究するために実施した。目標とする設計は,1.5kVのDC母線の短絡手術の5μsに耐えることができ,低い比R_ds,10mΩcm~2のである。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ロバスト性 ,  電力 ,  実験計画法 ,  *炭化ケイ素 ,  系統連系 ,  海域 ,  *MOSFET ,  再生エネルギー
準シソーラス用語： 半導体スイッチ ,  出力密度 ,  *産業応用 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 産業応用 ,  SiC ,  MOSFET ,  設計 ,  製作