センシング応用のための溶液処理したIn_2O_3薄膜トランジスタにおける界面エネルギー改質の影響【Powered by NICT】

Kim Chaewon; Park Jin-Woo; Lee Yeo-Ryang; Lee Mi Jung

文献

J-GLOBAL ID：201702258531663405 整理番号：17A1462348

センシング応用のための溶液処理したIn_2O_3薄膜トランジスタにおける界面エネルギー改質の影響【Powered by NICT】

Effects of interface energy modification in solution-processed In₂O₃ thin film transistors for sensing applications

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資料名：
巻： 263 ページ： 772-777 発行年： 2017年
JST資料番号： B0345C ISSN： 0924-4247 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

金属酸化物をベースにした薄膜トランジスタ(TFT)を,高移動度,透明度および優れた安定性を持ち,次世代透明電子素子の鍵となる部分であると考えられている。ゾル-ゲル法を用いた溶液処理金属酸化物薄膜を,真空システムを持たない金属酸化物薄膜の堆積を可能にしており,金属酸化物TFTを可能にする低コストで簡単なプロセスによる大面積にわたるより効率的に作製することができた。本研究では,ゾル-ゲル法を用いてIn_2O_3を作製し,半導体と誘電体層の間の界面を改質するために種々の自己集合単分子層(SAM)を採用した。疎水性表面としてオクタデシルトリクロロシランを用い,部分的にUV照射への暴露を通してそれを除去した漏れ電流を顕著に低下させるという簡単なスピンコーティング法を用いたパターン形成半導体を形成した。SAM材料とトルエンと水としてそれらを希釈するために溶媒として3-アミノプロピルシラン, (3-メルカプトプロピル)トリメトキシシラン,シクロペンタジエンイルトリメチルシランはSiO_2の表面を改質するために使用した。界面エネルギー改質の効果を確認するために種々の条件下で接触角と230年,250年,および300°Cの種々の温度でアニールしたTFTの電気特性を測定し,表面エネルギーはIn_2O_3トランジスタの移動度に影響し,低い表面エネルギーはTFTの移動度を高めると結論した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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固体デバイス製造技術一般 , 酸化物薄膜

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