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J-GLOBAL ID：201702258535377315   整理番号：17A1627447

下部Mg組成での六方晶Mg_xZn_1xO膜の圧電係数の増強【Powered by NICT】

Enhancement of the piezoelectric coefficient in hexagonal Mg_xZn_1-xO films at lower Mg compositions

著者 (6件)： Chen Yi Ju (Department of Materials Science and Engineering, National Cheng Kung University, Tainan 70101, Taiwan) ,  Brahma Sanjaya (Department of Materials Science and Engineering, National Cheng Kung University, Tainan 70101, Taiwan) ,  Liu Chuan Pu (Department of Materials Science and Engineering, National Cheng Kung University, Tainan 70101, Taiwan) ,  Huang Jow-Lay (Department of Materials Science and Engineering, National Cheng Kung University, Tainan 70101, Taiwan) ,  Huang Jow-Lay (Center for Micro/Nano Science and Technology, National Cheng Kung University, Tainan 70101, Taiwan) ,  Huang Jow-Lay (Research Center for Energy Technology and Strategy, National Cheng Kung University, Tainan 70101, Taiwan)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 728  ページ： 1248-1253  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnOのようなウルツ鉱型構造材料が支配的な物理的特性としての圧電係数を持つ圧電気と半導体特性を示した。著者らは,高周波マグネトロンスパッタリングによりSi(111)基板上に堆積したMg_xZn_1xO薄膜のMg含有量への圧電係数の依存性を調べた。堆積温度を250°Cに固定し,全ての膜の厚さは同じ(380 nm)でた。全てMg_xZn_1xO膜は[0001]成長方向に沿った強い優先配向を持つ高い結晶性を示した。さらに,回折ピークは亜鉛部位でのマグネシウムのより小さいイオン半径の置換を確認するより高い角度の方へシフトする。圧電力顕微鏡により測定されたように,Mg_xZn_1xO膜の圧電係数は中間Mg濃度(x=0.28),ZnOと比較して改善された最大(54.1 pm/V)を示した。Mg_xZn_1xO膜は圧電ナノ発電機(NG)に適用される大きな可能性を持っている。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 薄膜 ,  酸化亜鉛 ,  力顕微鏡 ,  圧電気 ,  イオン半径 ,  *マグネシウム ,  *六方晶系 ,  温度依存性 ,  優先配向 ,  半導体 ,  結晶度
準シソーラス用語： ナノ発電機 ,  RFマグネトロンスパッタリング ,  ウルツ鉱型構造 ,  *圧電定数 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 酸化物材料 ,  蒸着 ,  ZnO ,  ZnOを用いた合金Mg ,  MgxZn_1xO ,  圧電係数

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： Mg ,  組成 ,  六方晶 ,  圧電係数 ,  増強