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J-GLOBAL ID：201702258602848474   整理番号：17A1776702

DCマグネトロンスパッタリングにより作製したCdTe膜の性質【Powered by NICT】

Properties of CdTe films prepared by DC magnetron sputtering

著者 (5件)： Kirichenko M. V. (Materials for electronics and solar cells department, National technical university 《KhPI》, Kharkiv, Ukraine) ,  Zaitsev R. V. (Materials for electronics and solar cells department, National technical university 《KhPI》, Kharkiv, Ukraine) ,  Dobrozhan A. I. (Materials for electronics and solar cells department, National technical university 《KhPI》, Kharkiv, Ukraine) ,  Khrypunov G. S. (Materials for electronics and solar cells department, National technical university 《KhPI》, Kharkiv, Ukraine) ,  Kharchenko M. M. (Materials for electronics and solar cells department, National technical university 《KhPI》, Kharkiv, Ukraine)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： UKRCON  ページ： 355-359  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 硫化カドミウムに基づく薄膜太陽電池と直流によるテルル化カドミウムマグネトロンスパッタリングのプロセス,CdTe膜上にマグネトロンスパッタリングモードの影響のテルル化実験的研究を創出するためには結晶構造を行った。薄膜太陽電池のベース層のためのCdTe膜を初めて直接電流マグネトロンスパッタリングによりフレキシブルポリイミド基板上に得られた。マグネトロン放電電流を80mAまでである柱状構造を持つ六方晶改質のテルル化カドミウム膜の厚さの増加に由来するどのようなコヒーレント散乱領域の増加をもたらすことが分かった。放電電流の更なる増加は,小傾角粒界の熱力学的出力形成に起因するどのような干渉性散乱領域の大きさの減少をもたらした。得られたテルル化カドミウム層の「塩化」処理は安定な立方晶系CdTe相における準安定六方晶系テルル化カドミウムの形質転換を誘導することを実験的に示した。同時に,共晶再結晶に起因して,10年間によるコヒーレント散乱領域のサイズの増加と1.5倍の微小歪レベル減少が観測された。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶構造 ,  電流 ,  硫化カドミウム ,  干渉性散乱 ,  再結晶 ,  *テルル化カドミウム ,  共晶 ,  六方晶系 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  熱力学 ,  小傾角粒界
準シソーラス用語： 放電電流 ,  柱状構造 ,  薄膜太陽電池 ,  *DCマグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 変態組織,加工組織  (WB01030N) ,  酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  機械的性質  (WB02030U)

タイトルに関連する用語 (4件)： DCマグネトロンスパッタリング ,  作製 ,  CdTe ,  性質