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J-GLOBAL ID：201702258660403068   整理番号：17A1502911

Ni_50 3Mn_36 9Sb_12/BiFeO_3/Ni_50 3Mn_36 9Sb_12 8マルチフェロイックトンネル接合に及ぼす障壁厚さの影響【Powered by NICT】

Influence of barrier thickness on Ni_50.3Mn_36.9Sb_12.8/BiFeO₃/Ni_50.3Mn_36.9Sb_12.8 multiferroic tunnel junctions

著者 (2件)： Barman Rahul (Functional Nanomaterials Research Lab, Department of Physics and Centre of Nanotechnology, Indian Institute of Technology Roorkee, Roorkee 247667, Uttarakhand, India) ,  Kaur Davinder (Functional Nanomaterials Research Lab, Department of Physics and Centre of Nanotechnology, Indian Institute of Technology Roorkee, Roorkee 247667, Uttarakhand, India)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 17  ページ： 15654-15658  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板上に作製したNi_50 3Mn_36 9Sb_12/BiFeO_3/Ni_50 3Mn_36 9Sb_12 8マルチフェロイックトンネル接合におけるトンネル特性に及ぼす反強磁性障壁層(BiFeO_3)の厚さの影響を徹底的に調べた。交換バイアス現象は,10nmより大きい障壁層の厚さと共に存在することを見出し,Ni_50 3Mn_36 9Sb_12/BiFeO_3/Ni_50 3Mn_36 9Sb_12 8三層のMHループにおける顕著なシフトを示した。TEMR比の値は厚さ10nm以下の障壁層の厚さの増加とともに増加し,それ以上では減少した。これらの知見は,次世代電気的に制御されたランダムアクセスメモリデバイスにおける新規な再構成可能な論理スピントロニクスアーキテクチャに向けて有用である可能性がある。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 反強磁性 ,  *トンネル接合
準シソーラス用語： 交換バイアス ,  バリア層 ,  シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 薄膜 ,  マルチフェロイック ,  トンネル接合

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (4件)： マルチフェロイック ,  トンネル接合 ,  障壁 ,  厚さ