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J-GLOBAL ID：201702258697375511   整理番号：17A1504988

P3HTドナーと低バンドギャップ非フラーレン受容体に基づく高効率と厚さ許容バルクヘテロ接合高分子太陽電池【Powered by NICT】

Highly efficient and thickness-tolerable bulk heterojunction polymer solar cells based on P3HT donor and a low-bandgap non-fullerene acceptor

著者 (9件)： Liu Xiaodong (School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China (UESTC), Chengdu 610054, PR China) ,  Li Yongxi (Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials & Devices, Institute of Functional Nano & Soft Materials (FUNSOM), Soochow University, Suzhou, Jiangsu 215123, PR China) ,  Huang Peng (Laboratory of Advanced Optoelectronic Materials, College of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Science, Soochow University, Suzhou, Jiangsu 215123, PR China) ,  Zhou Yi (Laboratory of Advanced Optoelectronic Materials, College of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Science, Soochow University, Suzhou, Jiangsu 215123, PR China) ,  Jiang Zuo-Quan (Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials & Devices, Institute of Functional Nano & Soft Materials (FUNSOM), Soochow University, Suzhou, Jiangsu 215123, PR China) ,  Song Bo (Laboratory of Advanced Optoelectronic Materials, College of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Science, Soochow University, Suzhou, Jiangsu 215123, PR China) ,  Li Yongfang (Laboratory of Advanced Optoelectronic Materials, College of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Science, Soochow University, Suzhou, Jiangsu 215123, PR China) ,  Liao Liang-Sheng (Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials & Devices, Institute of Functional Nano & Soft Materials (FUNSOM), Soochow University, Suzhou, Jiangsu 215123, PR China) ,  Zheng Yonghao (School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China (UESTC), Chengdu 610054, PR China)
資料名： Journal of Power Sources  (Journal of Power Sources)
巻： 364  ページ： 426-431  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0703B  ISSN： 0378-7753  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 工業規模における高効率高分子太陽電池(PSCs)を作製するために,鍵となる問題の一つは,電力変換効率(PCE)を犠牲にすることなく,デバイスモジュールにおける厚い活性層(>200 nm)を使用することである。本論文では,非フラーレンPSCの活性層として中程度のバンドギャップ高分子ドナーP3HTと低バンドギャップアクセプタIDTIDT ICの混合物を研究し,250nmに近い活性層の厚さとデバイス性能を維持することに成功した。簡単な熱アニーリングを有するP3HT:IDTIDT ICに基づくPSCsは,薄い活性層で3.49%のPCEを示し,74nmであった。より重要なことに,PCEは,活性層の厚さの増加と共にほぼ一定のままであり,236nmで3.64%のピーク値に達した。P3HT:IDTIDT ICシステムのこの厚さ不感光起電力性能は,大規模ロール・ツー・ロール処理と両立させる。さらに,P3HT:IDTIDT ICデバイスは温度に非常に高い耐性を示し,PCEは,75分間の150°Cでの活性層をアニーリングした後にほとんど変わらない。全体として,著者らの結果は,厚さ許容と熱安定P3HT:IDTIDT ICシステムは,古典的なP3HT:PCBM式よりも大規模工業生産に適していることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 熱安定性 ,  焼なまし ,  *ドナー ,  ピーク値 ,  工業生産 ,  活性層 ,  *バンドギャップ ,  光起電力 ,  *高分子
準シソーラス用語： ロール・ツー・ロール方式 ,  熱アニーリング ,  電力変換効率 ,  *高分子太陽電池 ,  *バルクヘテロ接合 ,  *高効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 非フラーレン受容体 ,  バルクヘテロ接合高分子太陽電池 ,  厚さ非感受性性能 ,  熱安定性 ,  低バンドギャップ小分子

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (10件)： P3HT ,  ドナー ,  バンドギャップ ,  フラーレン ,  受容体 ,  高効率 ,  厚さ ,  許容 ,  バルクヘテロ接合 ,  高分子太陽電池