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J-GLOBAL ID：201702258750103140   整理番号：17A1567948

弾性波によるチップスケール近接場共振電力伝送【Powered by NICT】

Chip-Scale Near-Field Resonant Power Transfer via Elastic Waves

著者 (2件)： Mehdizadeh Emad (Department of Electrical and Computer Engineering, Carnegie Mellon University, Pittsburgh, PA, USA) ,  Piazza Gianluca (Department of Electrical and Computer Engineering, Carnegie Mellon University, Pittsburgh, PA, USA)
資料名： Journal of Microelectromechanical Systems  (Journal of Microelectromechanical Systems)
巻： 26  号： 5  ページ： 1155-1164  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0357A  ISSN： 1057-7157  CODEN： JMIYET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GHzアルミニウム窒化物(AlN)圧電変換器により可能になったによるパッケージ充電と認証通信リンクの合成に対するアプローチの概念実証について報告した。音響リンクは実装基板の二面上に置かれた二厚みモード音響変換器により形成される。リンクは共鳴状態で起こることをエネルギー移動の増強を活用より厚いAlN基板を用いた場合に1μm厚(2.7 GHz)と6μm厚(500 MHz)AlN音響リンク電力伝達効率(PTE)のかなりの増強を示して実証した。500MHzで2.7GHzと 2dBで 8dBのPTEsは700及び500μm厚シリコン基板を通した1×100×100μm~3および6×100×100 μm~3変換器のサイズを測定した。実験値は音響リンクの解析モデルと非常に良く一致した。二変換器の間の潜在的なミスアラインメントがこの方法の主な制限である。この課題を克服するために,音響フェイズドアレイは,透過ビームのステアリングを可能にするために考案した。100μmのミスアラインメントを扱う場合操縦能力に関する予備的結果は,二素子アレイによるPTEの改善の約8dBを示した。パッケージによるチップを活性化することを次世代高効率及びミクロスケール電力伝送装置の開発に向けての最初のステップである。[2017 0010]Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *共振 ,  フェイズドアレイ ,  エネルギー移動 ,  変換器 ,  音響変換器 ,  *送電 ,  *電力 ,  *弾性波 ,  解析モデル ,  窒化アルミニウム ,  *近接場 ,  不整合 ,  音響
準シソーラス用語： 高効率 ,  圧電変換器 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 弾性波 ,  スケール ,  近接場 ,  共振 ,  電力伝送