抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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初期では,デバイス研究会議(DRC)は,今日の半導体市場メニューで見出された新しいおよび改良されたデバイスとチップをもたらすことをブレークスルーの初期発表において役割を果たしている。は1965~1975の奇跡10として見るもの中に発生した化合物半導体ブレークスルーの個人と同僚が平等に例を簡単にする。技術単一接合AlGaAs/GaAs太陽電池の電流状態で使用されている,中,エレクトロニック及びフォトニック・デバイスは最初のDRCまたは関連雑誌発明開発高効率,Siドープした,IR発光GaAs LED,AlGaAs/GaAsヘテロ接合(HJ)に基づく第一作業デバイス,例えばAlGaAsH BT,AlGaAsレーザ,AlGaAs LED,cw AlGaAsレーザ,最先端のAlGaAs/GaAs高効率太陽電池,半導体リフトで出現したためこの時代を引用した。これらの全ては最初の液相エピタクシー(LPE)により実現した。これらのブレークスルーの影響を後高電子移動度トランジスタ(HEMT),GaInPベース赤色及び黄色LEDとGaN系青緑色,青色,UVおよび白色LED,青色レーザをもたらした。に沿ったAlGaAs/GaAs HJとGaN HJは三年のノーベル賞:Laughlin,StormerとTsuiへの量子H all効果に対する1998賞を生産している2000HJの半分はKroemerとAlferovにprize;青色LEDのための2014賞赤崎,Amano,中村。HJ技術は,ゲルマニウムを用いたSi系H BTへの道を見出しつつある。HJ!を用いた量子細線構造の報告があるも最後に,前者DRCプログラム委員会メンバーとして,以下の観察と密接にしたい。大きな影響を持つ可能性があることを破過装置結果の時代はおそらくが遅れている。その代わりに細線における革新のための進行中の研究と新しい二次元材料と膜,すなわちフィッシング旅行である。は現在は材料科学と工学の領域である。これを考慮し,現在のプログラム委員会はバーを低下させ,それらは持続に重要でないかもしれないことを理解してこの新時代の初期,暫定,興味ある素子結果を求めるのを奨励する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
