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J-GLOBAL ID：201702258811884691   整理番号：17A0521877

従来の相変化メモリデバイスを単一ナノメートルの寸法に縮小できるか?

Can conventional phase-change memory devices be scaled down to single-nanometre dimensions?

著者 (3件)： HAYAT Hasan (Univ. Exeter, Exeter, GBR) ,  KOHARY Krisztian (Obuda Univ., Becsi, HUN) ,  WRIGHT C David (Univ. Exeter, Exeter, GBR)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 3  ページ： 035202,1-8  発行年： 2017年01月20日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,洗練された相変化モデルに基づく,物理的に現実的なシミュレーション手法により調査した不揮発性相変化メモリ(PCM)キノコ型セルのスケーラビリティを報告した。6ナノメータのヒータ電極直径および7.2ナノメートルの相変化層の厚さに至るまで,このセルを単一のナノメートルの寸法にスケールダウンできた。しかし,小さなセルにおけるリセットプロセス中で効率的に非晶質ドームを形成するには,電極での熱損失を低減するセルの熱閉じ込めを改善する必要があった。セット状態とリセット状態の間の抵抗窓は,セルサイズが小さくなるにつれて減少したが,最小のセルでも一桁以上大きく,ヒータの長さを短縮して改善できた。

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  シミュレーション ,  *非揮発性 ,  *縮小 ,  熱損失 ,  非晶質 ,  加熱器
準シソーラス用語： *スケールダウン ,  ヒータ ,  リセット ,  *相変化メモリ ,  *不揮発性

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (2件)： 相変化メモリ ,  縮小