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J-GLOBAL ID：201702258894427127   整理番号：17A0981652

低配位遷移金属アミド[TM(N(SiMe₃)₂)₂](TM=Fe,Co,Zn)に対するECp^*(E=Al,Ga)の多様な反応性:挿入,Cp^*移動,およびオルトメタル化

Diverse Reactivity of ECp^* (E = Al, Ga) toward Low-Coordinate Transition Metal Amides [TM(N(SiMe₃)₂)₂] (TM = Fe, Co, Zn): Insertion, Cp^* Transfer, and Orthometalation

著者 (5件)： WESSING Jana (Technical Univ. Munich, Garching, DEU) ,  GOEBEL Christoph (Univ. Bayreuth, Bayreuth, DEU) ,  WEBER Birgit (Univ. Bayreuth, Bayreuth, DEU) ,  GEMEL Christian (Technical Univ. Munich, Garching, DEU) ,  FISCHER Roland A. (Technical Univ. Munich, Garching, DEU)
資料名： Inorganic Chemistry  (Inorganic Chemistry)
巻： 56  号： 6  ページ： 3517-3525  発行年： 2017年03月20日 
JST資料番号： C0566A  ISSN： 0020-1669  CODEN： INOCAJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高度の核形成性クラスタおよびTM/Eナノ粒子の生成のための新規経路を有するビス(トリメチルシリル)アミド(btsa)配位子およびCp^*配位子を結合している小さな混合TM(TM=Fe,CoおよびZn)/E(AlおよびGa)配位化合物を検討する目的で,Fe(II),Co(II)およびZn(II)錯体[TM(btsa)のECp^*との反応を,アミド安定化配位化合物に対するカルベノイド13族金属配位子の興味深い反応性を検討した。アニオン性水素化物が存在することにより,Co中心の電子親和性が十分に低下することがはっきりし,Cp^*移動を阻害することが分かった。今回の錯体が,不安定なCp^*およびbtsa配位子の系統的な除去に関する高度核形成性TM/E錯体およびクラスタ,あるいはナノ材料に対し新規アクセスを与える可能性がはっきりした。

シソーラス用語： *鉄錯体 ,  *コバルト錯体 ,  *亜鉛錯体 ,  反応性 ,  挿入反応 ,  ヒドリド錯体 ,  橋架け錯体 ,  *アルミニウム錯体 ,  *ガリウム錯体 ,  二核錯体 ,  分子構造 ,  X線回折 ,  *結晶構造
準シソーラス用語： 単結晶X線回折

分類 (2件)： 配位化合物一般  (CE01010G) ,  配位化合物の結晶構造一般  (BK09001H)

物質索引 (3件)： ビス(トリメチルシリル)アミン ,  ペンタメチルシクロペンタジエニド ,  トリメチルシリルアミン

タイトルに関連する用語 (7件)： 遷移金属 ,  アミド ,  Tm ,  CO ,  Zn ,  Ga ,  反応性