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J-GLOBAL ID:201702258902022930   整理番号:17A1546343

ポリカーボネートの非エッチングとエッチングイオン飛跡のSAXSによる研究【Powered by NICT】

SAXS investigation of un-etched and etched ion tracks in polycarbonate
著者 (9件):
資料名:
巻: 409  ページ: 293-297  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0899A  ISSN: 0168-583X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ポリカーボネート(PC)膜中のイオントラック形態と飛跡エッチング挙動の研究を,シンクロトロンベースの小角X線散乱(SAXS)測定を用いて行った。飛跡は1×10~十一×10~12ions/cm~2の間の印加フルエンスで1.7と2.2GeVの運動エネルギーを持つAuイオンにより誘導された。未エッチングした飛跡の平均半径は2.6±0.002nmから3.4±0.03nmへのイオン飛跡半径の同時増加を照射フルエンス,高分子の一般的なイオン誘起分解を示し,の関数として調べた。PC中のイオン飛跡の化学エッチングは,円筒形細孔の形成をもたらす。細孔半径はエッチング時間とともに直線的に増加した。55°Cで3MのNaOHにおいて,9.2nm/minのラジアルエッチング速度が観測された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
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放射線検出・検出器  ,  その他の物質の放射線による構造と物性の変化  ,  放射線高分子化学 
タイトルに関連する用語 (5件):
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