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J-GLOBAL ID：201702258906091153   整理番号：17A0933907

半導体に電気的に結合した複合酸化物:新規材料機能性への道

Electrically coupling complex oxides to semiconductors: A route to novel material functionalities

著者 (13件)： NGAI J.H. (Univ. Texas-Arlington, TX, USA) ,  AHMADI-MAJLAN K. (Univ. Texas-Arlington, TX, USA) ,  MOGHADAM J. (Univ. Texas-Arlington, TX, USA) ,  CHRYSLER M. (Univ. Texas-Arlington, TX, USA) ,  KUMAH D. (Yale Univ., CT, USA) ,  WALKER F.J. (Yale Univ., CT, USA) ,  AHN C.H. (Yale Univ., CT, USA) ,  DROUBAY T. (Pacific Northwest National Lab., WA, USA) ,  DU Y. (Pacific Northwest National Lab., WA, USA) ,  CHAMBERS S.A. (Pacific Northwest National Lab., WA, USA) ,  BOWDEN M. (Pacific Northwest National Lab., WA, USA) ,  SHEN X. (Brookhaven National Lab., NY, USA) ,  SU D. (Brookhaven National Lab., NY, USA)
資料名： Journal of Materials Research  (Journal of Materials Research)
巻： 32  号： 2  ページ： 249-259  発行年： 2017年01月27日 
JST資料番号： D0987B  ISSN： 0884-2914  CODEN： JMREEE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい機能発現の方法として,複合酸化物を半導体に電気的に結合させたヘテロ構造が提案されている。本稿では,この取組に関する研究事例を示した。対象となった材料はBa_1-xSr_xTiO₃/GeとSrZr_xTi_1-xO₃/Geである。前者では,半導体-酸化物ヘテロ構造中の歪のエンジニアリングによる物理的構造の制御について述べ,後者では半導体-結晶質酸化物界面でのバンド配向の調節による電子構造の制御について示した。

シソーラス用語： *酸化物 ,  *半導体 ,  *素子構造 ,  機能材料 ,  チタン酸バリウム ,  ストロンチウム化合物 ,  ジルコニウム酸塩 ,  チタン酸塩
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  電気的結合 ,  *複合酸化物

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (2件)： 複合酸化物 ,  道