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J-GLOBAL ID：201702258956549011   整理番号：17A1283488

マグネトロンスパッタリングにより調製したCdS Al薄膜の性質研究【JST・京大機械翻訳】

Properties of CdS:Al Films Deposited by Magnetron Sputtering

著者 (6件)： Wang Fugen (四川大学 材料科学与工程学院,成都,610064) ,  Chen Yunlu (四川大学 材料科学与工程学院,成都,610064) ,  Ren Shengqiang (四川大学 材料科学与工程学院,成都,610064) ,  Zhang Jiayuan (四川大学 材料科学与工程学院,成都,610064) ,  Wu Lili (四川大学 材料科学与工程学院,成都,610064) ,  Feng Lianghuan (四川大学 材料科学与工程学院,成都,610064)
資料名： Wuji Cailiao Xuebao  (Wuji Cailiao Xuebao)
巻： 32  号： 4  ページ： 413-417  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2432A  ISSN： 1000-324X  CODEN： WCXUET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： AlとCdSの共スパッタリング法を用いて,AlとCdS源の蒸着速度を調整し,異なるAlドープ濃度のCd:Al薄膜を調製した。XRD,SEM,AFM,UV-Vis透過分光法,および常温Hall測定によって,CdS薄膜の構造,形態,光学的および電気的性質を特性評価した。異なるAlドーピング濃度のCd:Al薄膜は六方晶ウルツ鉱型構造の多結晶薄膜であり、(002)方向に優先成長し、SEMとAFMの結果により、Cd:Al薄膜の表面は均一で緻密であり、表面粗さはAlドーピング濃度の増加に伴いわずかに増加することが分かった。UV-Vis透過スペクトルの解析により,CdS-Al薄膜のバンドギャップは,2.42~2.46eVの範囲で,Alドーピング濃度の増加とともに,わずかに減少した。定温Hall測定結果により、AlドープCdS薄膜の電気的性質に対する影響が顕著であり、Al原子濃度3.8%以上のCdS薄膜をドープすると、キャリア濃度が3桁増加し、抵抗率が3桁低下したことが証明された。AlをドープしたCdS薄膜のn型はより強く、CdTeとより強い内部場を形成し、太陽電池の効率を向上させるのに有利である。スパッタリング法により調製したCdS Al薄膜の性質は,CdTe薄膜太陽電池の窓層として適している。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *アルミニウム ,  スペクトロスコピー ,  *マグネトロンスパッタリング ,  電気抵抗率 ,  形態 ,  *硫化カドミウム ,  テルル化カドミウム ,  六方晶系 ,  バンドギャップ ,  電気的性質 ,  *薄膜 ,  太陽電池 ,  ドーピング ,  キャリア密度
準シソーラス用語： 薄膜太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： CdS:Al films ,  RF magnetron sputtering ,  CdTe solar cells

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： マグネトロンスパッタリング ,  調製 ,  CdS ,  Al ,  薄膜 ,  性質 ,  研究