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J-GLOBAL ID：201702258976985815   整理番号：17A1261702

垂直緑色LED性能を改善するための低温外部電子抑制電極【Powered by NICT】

A Low-Temperature External Electron Retarding Electrode for Improving Vertical Green LED Performance

著者 (5件)： Tien Ching-Ho (Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University, Taichung, Taiwan) ,  Ou Sin-Liang (Department of Materials Science and Engineering, Da-Yeh University, Changhua, Taiwan) ,  OuYang Yi (Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University, Taichung, Taiwan) ,  Chen Chien-Ming (Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University, Taichung, Taiwan) ,  Wuu Dong-Sing (Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University, Taichung, Taiwan)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 8  ページ： 3219-3225  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子/正孔速度の間のミスマッチを軽減し,量子効率を改善するために,コバルトをドープしたZnO(CZO)100°Cの低温でパルスレーザ蒸着により成長させた磁性薄膜を希薄垂直InGaN発光ダイオード(LED)の外部電子遅延n電極として使用した。電子移動度の遅延はCo~2+イオンとそれらの対応する強磁性のスピン-軌道相互作用による電子の散乱に起因する。150nm厚CZO膜は垂直緑色LED(530 nm)のためのN電極として選択した。従来の側方LEDと比較して,とCZO N電極を有する垂直LEDが,出力電力(350mAで)で21.3%と39.6%の改善を示した。CZO N電極なし垂直LEDに比べてCZO N電極を有する垂直LEDは光出力パワー(350mAで)の増加を示したが,15.1%であった。明らかに,CZO N電極を挿入した後,従来の垂直LEDにおける電子と正孔のキャリア間の巨大移動度の差は有意に減少し,これは無放射再結合速度を減少させ,発光特性を改善することができる。結果はまた,外部電子抑制電極として用いCZO膜は垂直LED応用のための高い可能性を明らかにした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 発光ダイオード ,  不整合 ,  スピン-軌道相互作用 ,  酸化亜鉛 ,  量子効率 ,  パルスレーザ蒸着 ,  *低温 ,  磁性薄膜 ,  正孔 ,  ドーピング ,  移動度
準シソーラス用語： 放射再結合 ,  電子移動度 ,  InGaN ,  *緑色LED , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 垂直 ,  緑色LED ,  低温 ,  電子