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J-GLOBAL ID：201702259006862399   整理番号：17A1344015

グラフェンにおけるC-H空格子点に及ぼすLi状態:第一原理研究【Powered by NICT】

Li states on a C-H vacancy in graphane: a first-principles study

著者 (3件)： Mapasha R. E. (Department of Physics, University of Pretoria, Pretoria 0002, South Africa. [e-mail]) ,  Molepo M. P. ,  Chetty N.
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 63  ページ： 39748-39757  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハイブリッド密度汎関数理論アプローチを用いて,電荷ドーピングの影響を考慮した熱力学的安定性,構造的,磁気的および電子的性質に及ぼすグラフェン単分子層のC-H対空孔欠陥(V_CH)とLi原子の相互作用の影響を調べた。Li原子と電荷ドーピングはV_CH欠陥グラフェン単分子層の熱力学的安定性を増強することを見いだした。Li V_CHシステムは単一の深いドナーとして作用する可能性があると,アクセプタを補償できる。Liの効果は,バンドギャップに占有状態を導入し,顕著な磁気モーメントの原因となるFermi準位(E_F)の近傍で2p状態とLi2s状態の間の強い混成が存在する。 1電荷ドーピング(Li~1 V_CH)は,バンドギャップにおける占有状態を占める,E_Fをシフト伝導帯最小に向けて。Li~1 V_CHシステムは半金属強磁性特性と顕著な磁性のようなスピントロニクス効果を有していた。+電荷ドーピング(Li~1+V_CH)はLi誘起占有状態のいくつかを除去し,E_Fをシフト価電子帯最大磁気モーメントの減少をもたらすに向けてた。著者らの知見は,V_CH欠陥グラフェン系の磁性の起源の説明を与え,それを制御することのできる実際的な方法を示唆した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 密度汎関数法 ,  価電子バンド ,  磁気モーメント ,  磁気 ,  強磁性 ,  電荷 ,  Fermi準位 ,  単分子層 ,  *グラフェン ,  伝導バンド ,  *リチウム ,  *第一原理 ,  バンドギャップ ,  熱力学的安定度 ,  半金属

分類 (3件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン ,  空格子点 ,  Li ,  第一原理 ,  研究