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J-GLOBAL ID：201702259009916674   整理番号：17A1554136

グラフェン/InAsとMoS_2/InAsヘテロ構造における強い界面相互作用と増強された光吸収【Powered by NICT】

Strong interfacial interaction and enhanced optical absorption in graphene/InAs and MoS₂/InAs heterostructures

著者 (6件)： Ning Feng (Department of Applied Physics, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Wang Dan ,  Feng Ye-Xin ,  Tang Li-Ming ,  Zhang Yong ,  Chen Ke-Qiu
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 36  ページ： 9429-9438  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元材料の垂直ヘテロ構造は最近新しいエレクトロニクス素子やオプトエレクトロニクス素子を設計する上で有望な応用として出現した。第一原理法を用いて,二ヘテロ構造,グラフェン/InAsおよびMoS_2/InAsの電子的および光学的性質を調べた。結果は界面構造,結合,移動電荷はヘテロ構造の電子特性と光吸収を向上させるために重要であることを明らかにした。明らかな電子-正孔対分離とグラフェン/InAsヘテロ構造における界面での組み込み分極電場を見出した。特に,強い界面電子結合はInAsスラブ基板上に吸着後のグラフェンの15meVのバンドギャップを開くものである。界面結合と移動電荷からの恩恵を受けて,グラフェン/InAsヘテロ構造の光学的性質はヘテロ構造の分離された複合材料のそれらと比較してわずかに増強された。注目すべきことに,MoS_2/InAsヘテロ構造は,グラフェン/InAsヘテロ構造よりも電荷,より小さな層間距離とより強い界面相互作用の大きな再分布を有することが分かった。MoS_2/InAsヘテロ構造の計算した光吸収は,グラフェン/InAsヘテロ構造のそれよりも可視領域でより顕著な吸収特性を示した。これらの現象を理解するための機構を提案した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *界面 ,  電子技術 ,  バンドギャップ ,  分極 ,  *グラフェン ,  複合材料 ,  電荷 ,  *光吸収 ,  電場 ,  *ヒ化インジウム ,  二次元 ,  光学的性質
準シソーラス用語： 界面構造 ,  *界面相互作用 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  コロイド化学一般  (CB11010C)

タイトルに関連する用語 (6件)： グラフェン ,  InAs ,  ヘテロ構造 ,  界面相互作用 ,  増強 ,  光吸収