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J-GLOBAL ID：201702259015443280   整理番号：17A1272823

典型的なスイッチング素子パッケージの共通ソースインダクタンスの測定【Powered by NICT】

Measurement of the common source inductance of typical switching device packages

著者 (5件)： Aikawa Kyota (Graduate School of Natural Science and Technology, Okayama University, Japan) ,  Shiida Tomohumi (Graduate School of Natural Science and Technology, Okayama University, Japan) ,  Matsumoto Ryunosuke (Graduate School of Natural Science and Technology, Okayama University, Japan) ,  Umetani Kazuhiro (Graduate School of Natural Science and Technology, Okayama University, Japan) ,  Hiraki Eiji (Graduate School of Natural Science and Technology, Okayama University, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IFEEC 2017 - ECCE Asia  ページ： 1172-1177  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 共通ソースインダクタンスは半導体スイッチング素子のための偽りのトリガリングのスイッチング速度と磁化率の劣化の主な原因の一つである。このインダクタンスは物理的パッケージ構造に大きく依存するため,このインダクタンスの実用的設計は,適切な半導体パッケージの選択を必要とする。しかし,市販のパッケージの共通ソースインダクタンスのリストを報告した研究はほとんどない。典型的な半導体パッケージ間の共通ソースインダクタンスをリストと比較するために,この論文では,実験的PCB上に搭載された実際のスイッチング素子のインダクタンスの測定を行った。PCB上に搭載されたスイッチング素子に直接適用できる最近提案した直接的な測定法を採用した。結果として,典型的なパッケージの共通ソースインダクタンスの基本的なデータベースを提示した。共通ソースインダクタンスは主にパッケージ型により決定されることが分かった。しかし,247とTO-220パッケージでは,全共通ソースインダクタンスの約三分の1は,電流定格への依存性に起因する同一パッケージのスイッチングデバイスの中で変化することが分かった。物理パッケージ構造の研究は,この依存性は半導体チップを接続するソース端子にボンディングワイヤの漂遊インダクタンスによって引き起こされたことを示唆した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 磁化率 ,  電流 ,  *スイッチング素子 ,  *インダクタンス ,  半導体 ,  データベース
準シソーラス用語： ボンディングワイヤ ,  半導体パッケージ ,  スイッチング速度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： スイッチング素子 ,  パッケージ ,  ソース ,  インダクタンス