抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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過去数年にわたって,(超)低k最上層の薄い半導体ウエハの分離は,集積回路の製造プロセスにおける課題となっている。従来のブレードダイシング工程は重大な収率の問題に遭遇した。seissuesはブレードダイシング,今日のプロセスである前にレーザ溝切りプロセスを適用することによって対処できる。しかし,ウエハは薄くなってきているとして,プロセスフローが必要収率とコストを提供しなかった。本論文では,薄いSiウエハのダイシング品質,V形レーザビームパターンを用いたレーザ分離プロセスの開発につながったの影響について行われた研究の結果を議論する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】