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J-GLOBAL ID：201702259057137023   整理番号：17A1350652

薄いSi ICウエハのマルチビーム完全カットダイシング【Powered by NICT】

Multi Beam Full Cut Dicing of Thin Si IC Wafers

著者 (3件)： Borkulo Jeroen van ,  Verburg Paul ,  Stam Richard van der
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ECTC  ページ： 1817-1822  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 過去数年にわたって,(超)低k最上層の薄い半導体ウエハの分離は,集積回路の製造プロセスにおける課題となっている。従来のブレードダイシング工程は重大な収率の問題に遭遇した。seissuesはブレードダイシング,今日のプロセスである前にレーザ溝切りプロセスを適用することによって対処できる。しかし,ウエハは薄くなってきているとして,プロセスフローが必要収率とコストを提供しなかった。本論文では,薄いSiウエハのダイシング品質,V形レーザビームパターンを用いたレーザ分離プロセスの開発につながったの影響について行われた研究の結果を議論する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 生産工程 ,  品質 ,  *レーザ ,  溝切り ,  集積回路
準シソーラス用語： *ダイシング ,  シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  IC ,  ウエハ ,  マルチビーム ,  ダイシング