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J-GLOBAL ID：201702259065079081   整理番号：17A1088414

InAs/(GaSb,AlSb)及びHgTe/CdTe超格子:トポロジカル特性を持つ検出器材料

InAs/(GaSb,AlSb) and HgTe/CdTe superlattices: detector materials with topological properties

著者 (1件)： KLIPSTEIN P. C. (SemiConductor Devices, Haifa, ISR)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 10111  ページ： 101111C.1-101111C.11  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAsとGaSbの交互層からなるタイプII超格子(T2SL)は,層厚さの臨界値におけるゼロバンドギャップなどのかなり独特な特性を示す。重い原子を含むバルク立方晶半導体及びその超格子構造は,小さいバンドギャップと大きなスピン軌道相互作用を示す。同じ材料は,従って,赤外検出器の吸収体,THzデバイスのエミッタ及びスピン分極端状態を持つ2Dトポロジカル絶縁体として適している。主な例は,HgTe/CdTe SL及び合金,そして,InAs/GaSb T2SLである。生産環境に適した信頼できるMBE成長技術を役立たせ,低い拡散律速暗電流を持つ完全な障壁構造によって,長波長赤外線(LWTR)InAs/GaAb T2SL検出器を実現した。その性能は,現状のバルクHg_1-xCd_xTe検出器に近かった。最初の製品は,Pelican-D LWである。15μmピッチの640×512フォーマットを持つ。77Kで動作し,稼働率は99%を超える。単一経路QEが~48%で,応答と暗電流が高い均一性と安定性を持つ。

シソーラス用語： *赤外検出器 ,  *超格子 ,  *光検出器アレイ ,  テルル化カドミウム水銀 ,  ヒ化インジウム ,  アンチモン化ガリウム ,  アンチモン化アルミニウム ,  テルル化水銀 ,  テルル化カドミウム ,  光ルミネセンス ,  バンド構造 ,  立方晶系 ,  スピン-軌道相互作用 ,  絶縁体 ,  MBE成長 ,  拡散律速 ,  暗電流 ,  トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： 焦点面アレイ

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (7件)： InAs ,  GaSb ,  HgTe ,  CdTe ,  超格子 ,  トポロジカル特性 ,  検出器