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J-GLOBAL ID：201702259150071168   整理番号：17A0946007

二層グラフェン上の平面状金属接点における接触抵抗と分子挿入層の効果

Contact resistance at planar metal contacts on bilayer graphene and effects of molecular insertion layers

著者 (1件)： NOUCHI Ryo (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 13  ページ： 134003,1-8  発行年： 2017年03月31日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,金属二重層グラフェン(BLG)上の金属接点における界面電荷移動(CT)について詳細に議論する。金属接点における界面電荷移動によって形成されるバンドギャップを考慮することによって,金属二重層グラフェン(BLG)接触抵抗の可能な源が検討される。また,金属コンタクト下でのBLGのコンタクトドープによる密度の増加(DOS)が,コンタクトにおける電荷キャリアトンネリングの増加によりコンタクト抵抗を減少させることも示した。低い電子親和力を有する分子界面層が,増加した界面CTを介して接触抵抗を減少させることができる可能な方法として評価された。分子ドーパント層を金属接点に挿入することによって接触ドーピングを高めることができた。最後に,ゲートチャネルのキャリアタイプがコンタクトドーピングキャリアタイプと反対である場合,ギャップ内状態を介した可変範囲ホッピングによるバンド間輸送がコンタクト抵抗の最大寄与であることを示した。本結果は,コンタクト下のBLGは常に縮退ドープされているため,電荷注入障壁(ショットキー障壁)はコンタクト抵抗に寄与しないことを示している。

シソーラス用語： *グラフェン ,  *接触抵抗 ,  *金属 ,  電荷移動 ,  *界面 ,  電気接点 ,  トンネル効果 ,  *層 ,  ドーピング ,  *ホッピング伝導 ,  バンドギャップ ,  輸送現象 ,  *FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： *二層グラフェン ,  *分子層 ,  バンド間輸送

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 二層グラフェン ,  接触抵抗 ,  分子