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J-GLOBAL ID:201702259161157804   整理番号:17A1445759

電解質-絶縁体-半導体構造の特性に及ぼすO_2プラズマの影響【Powered by NICT】

Effect of O2 plasma on properties of electrolyte-insulator-semiconductor structures
著者 (5件):
資料名:
巻: 214  号:ページ: ROMBUNNO.201700025  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0774A  ISSN: 1862-6300  CODEN: PSSABA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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バイオセンサ表面への生体分子や細胞の固定化に先立ち,表面をさらに官能化のための活性化物理的または化学的にしなければならない。有機シランは末端基を介して固定化を促進し,自己集合を示すとしての多目的な選択肢である。ヒドロキシル基が一次固定化のための重要な方法の一つである。は,例えば,酸素プラズマ処理することができた。しかし,この処理はバイオセンサの性能に影響を与えることができ,この効果は表面官能化のための完全理解されていない。本研究では,EISセンサにO_2プラズマ処理の効果を電気化学的特性評価により調べた:容量-電圧(C V)および一定静電容量(ConCap)測定。O_2プラズマ処理後,EISセンサの電位がより負の値にシフトした。これはアニーリングプロセスを用いてリセットすることに成功した。EISセンサのConCap測定。a)基準測定,b)アニーリングプロセス後にO_2プラズマ処理,c)。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
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分析機器  ,  物理的手法を用いた吸着の研究 
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